【茨城県】回路設計エンジニア募集/※定年65歳/※勤務地固定
茨城県
年収700万～1000万円
【茨城県】回路設計エンジニア募集/※定年65歳/※勤務地固定
~ご経験を活かすフィールドあり...
半導体業界の求人一覧
1,002 件が見つかりました
求人一覧
【未経験歓迎】半導体製品の検査業務 ～月平均残業20時間／教育体制充実～
長野県
年収300万～500万円
【未経験歓迎】半導体製品の検査業務 ～月平均残業20時間／教育体制充実～
パワー半導体の...
【大阪/滋賀】回路設計・基板設計開発 | 空調用インバータ●空調業界世界トップメーカー
大阪府、滋賀県
年収700万～1000万円
【大阪/滋賀】回路設計・基板設計開発 | 空調用インバータ●空調業界世界トップメーカー
■...
【関東圏】パワー半導体の製品開発業務/月残業20H/社内公募で自立したキャリア形成
神奈川県、東京都、千葉県ほか
その他
【関東圏】パワー半導体の製品開発業務/月残業20H/社内公募で自立したキャリア形成
◎幅広...
【9月20日（土）WEB開催】先進デバイス領域技術職_事業・職種説明会＆社員クロストークセッション
愛知県
年収1000万円以上
【一例】・電動車向けパワー半導体素子の企画/開発/設計・電動車向けパワー半導体素子の企画/戦略立案・...
【三重/いなべ】プロセス技術開発(パワー半導体/製品、工程、設備設計)＜先デバ＞
三重県
年収1000万円以上
【三重/いなべ】プロセス技術開発(パワー半導体/製品、工程、設備設計)＜先デバ＞
■職務内...
【横浜】プロセス開発エンジニア（成膜）管理職候補◆在宅勤務可◆業界注目のパワー半導体製造に携われる◎
神奈川県
年収1000万円以上
【横浜】プロセス開発エンジニア（成膜）管理職候補◆在宅勤務可◆業界注目のパワー半導体製造に携われる◎...
【岩手県】半導体や半導体生産システム等の開発・設計＜職種未経験可＞＜先デバ＞
岩手県
年収700万～1000万円
【岩手県】半導体や半導体生産システム等の開発・設計＜職種未経験可＞＜先デバ＞
【世界...
【愛知・豊田】解析・評価・技術開発（電動車向けインバータ／パワー半導体）＜ミライズ＞
愛知県
年収1000万円以上
【愛知・豊田】解析・評価・技術開発（電動車向けインバータ／パワー半導体）＜ミライズ＞
...
電動車向けインバータ及び電源機器用パワー半導体を使った回路・制御研究
愛知県
年収500万～700万円
パワーエレクトロニクス回路、及び制御技術の研究開発・インバータ、コンバータ回路開発・SiC、GaNデバ...
パワー半導体向け単結晶成長プロセス技術開発、製品設計及び工程・設備設計
愛知県
年収500万～700万円
【組織ミッション】SiCプロジェクト室は24年4月に新たに発足した部署であり、パワー半導体(SiC)に関わる...
【愛知/日進・豊田】材料・デバイス研究（電動車向けインバータ、パワー半導体）＜ミライズ＞
愛知県
年収1000万円以上
【愛知/日進・豊田】材料・デバイス研究（電動車向けインバータ、パワー半導体）＜ミライズ＞
電動車向けインバータ用パワー半導体の分析、解析、信頼性評価技術
愛知県
年収500万～700万円
電動車向けインバータ用パワー半導体及びパワーモジュールの分析、解析、信頼性評価業務及び技術開発・...
電動車向けインバータ用パワー半導体のデバイスおよびプロセス研究開発
愛知県
年収500万～700万円
電動車向けインバータ用パワー半導体（SiCーMOSFET）のデバイス設計やデバイスのプロセス加工技術の研究...
パワー半導体向けのSiCウエハ生産技術開発
愛知県
年収1000万円以上
【組織ミッション】SiCプロジェクト室は24年4月に新たに発足した部署であり、パワー半導体SiCに関わる生...
＜車載半導体を内製化＞半導体領域オープンポジション/愛知・三重 ※勤務地考慮＜先デバ＞
三重県、愛知県、岩手県
年収1000万円以上
＜車載半導体を内製化＞半導体領域オープンポジション/愛知・三重 ※勤務地考慮＜先デバ＞
...
P1【石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーションエンジニア
石川県
年収700万～1000万円
当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回...
D1【兵庫】小信号デバイスの製品開発エンジニア
兵庫県
年収700万～1000万円
当部門では産業、車載向けMOSFETの開発・設計をしています。小型化・低消費電力にこだわった開発を通し...
D2【兵庫】化合物半導体の製品開発エンジニア（SiC）
兵庫県
年収700万～1000万円
・デバイス設計・シミュレーション(TCAD)
・パワーモジュール パッケージ開発
・試作・性...
Q1【神奈川】半導体製品の品質・信頼性エンジニア（リーダー候補）
神奈川県
年収700万～1000万円
カーボンニュートラルな未来に向けて、パワーデバイス製品の需要拡大が見込まれるなか、市場要求品質を...
D2【第二新卒/兵庫】化合物半導体の製品開発エンジニア（SiC）
兵庫県
年収700万～1000万円
・デバイス設計・シミュレーション(TCAD)
・パワーモジュール パッケージ開発
・試作・性...
【東京/新橋】＜世界の電動車作りを変える＞回路の開発/設計（インバータ制御回路）＜エレフィ＞
東京都
年収1000万円以上
当部では電池およびインバータを制御するための制御回路を開発／設計しています。電動化の普及に携わる...
P2【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア
石川県
年収700万～1000万円
当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回...
D1-4【福岡】小信号デバイスの製品開発エンジニア
福岡県
年収700万～1000万円
当部門では車載向け小型MOSFETの開発・設計をしています。小型化・低消費電力にこだわった開発を通して...
D3【兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア（GaN/SiC）
兵庫県
年収700万～1000万円
その中でGaNパワーデバイス事業では、早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引す...
D1【石川】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア
石川県
年収700万～1000万円
ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス...
D1【福岡】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア
福岡県
年収700万～1000万円
ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス...
D3【神奈川】化合物半導体の製品開発エンジニア（GaNパワー）
神奈川県
年収700万～1000万円
弊社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しております。
株式会社東芝の研究...
P1【第二新卒/石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーションエンジニア
石川県
年収700万～1000万円
当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回...
D3【第二新卒/兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア（GaN/SiC）
兵庫県
年収700万～1000万円
その中でGaNパワーデバイス事業では、早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引す...
パワーエレクトロニクス
奈良県
その他
パワーデバイスを主軸とする低損失スイッチング回路の開発と、その回路特性を活かす制御技術の開発。
【エレクトロニクス】車載電源機器の開発・設計
愛知県
その他
自動車の電動化が急速に拡大する中、電動車に搭載される電源機器（DC-DCコンバータ・車載充電器・ACイン...
設計職（モジュール設計、実装設計、アナログ回路設計）
山梨県、茨城県
年収500万～700万円
設計職（モジュール設計、実装設計、アナログ回路設計）
パワーモジュール構造、プロ...
【三重/四日市】車載・非車載機器に関する研究、開発。要素技術開発及び設計、試作製造・評価
三重県
年収700万～1000万円
①
車載/非車載パワーエレクトロニクス新製品の要素技術開発、新技術開発
②
・パワー...
【大阪製作所】車載・非車載機器に関する研究、開発。要素技術開発及び設計、試作製造・評価
大阪府
その他
①
車載/非車載パワーエレクトロニクス新製品の要素技術開発、新技術開発
②
・パワー...
【京都】DC配電システム・電力変換機器の開発
京都府
年収700万～1000万円
①職務内容
DC配電システム、スマートインバータ、次世代DCDCコンバータなどの
電力変換機器...
【兵庫／揖保郡】化合物半導体の製品開発エンジニア（SiC）※就業環境◎年休127日
兵庫県
年収1000万円以上
【兵庫／揖保郡】化合物半導体の製品開発エンジニア（SiC）※就業環境◎年休127日
【脱炭素...
【兵庫】第二新卒歓迎｜化合物半導体のプロセス開発エンジニア（GaN/SiC）◆研修・福利厚生◎
兵庫県
その他
【兵庫】第二新卒歓迎｜化合物半導体のプロセス開発エンジニア（GaN/SiC）◆研修・福利厚生◎
【兵庫】半導体エンジニア／オープンポジション◆就業環境◎需要増加中のパワー半導体
兵庫県
その他
【兵庫】<第二新卒歓迎>半導体エンジニア／オープンポジション◆就業環境◎需要増加中のパワー半導体
【福岡】小信号デバイスの製品開発エンジニア ※就業環境◎年休127日
福岡県
その他
【福岡】小信号デバイスの製品開発エンジニア ※就業環境◎年休127日
■募集背景：
カ...
【福岡】光半導体のアプリケーションエンジニア（商品企画・評価等） ◆年休127日
福岡県
年収1000万円以上
【福岡】光半導体のアプリケーションエンジニア（商品企画・評価等） ◆年休127日
【顧客の...
【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発◆研修・福利厚生充実／年休127日
福井県、石川県
その他
【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発◆研修・福利厚生充実／年休127日
【脱炭素・...
【福岡】ディスクリート半導体のパッケージ開発・生産技術エンジニア／就業環境◎福利厚生充実
福岡県
その他
【福岡】ディスクリート半導体のパッケージ開発・生産技術エンジニア／就業環境◎福利厚生充実
【川崎】半導体エンジニア／オープンポジション◆就業環境◎需要増加中のパワー半導体
神奈川県
その他
【川崎】半導体エンジニア／オープンポジション◆就業環境◎需要増加中のパワー半導体
【年...
【川崎】マイコン・システムLSIの設計エンジニア◇車載等の伸長分野／注目のパワー半導体／年休127日
神奈川県
年収1000万円以上
【川崎】マイコン・システムLSIの設計エンジニア◇車載等の伸長分野／注目のパワー半導体／年休127日
【福岡／豊前】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア（半導体リレー）
福岡県
年収1000万円以上
【福岡／豊前】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア（半導体リレー）
■募集背景：
【石川】未経験・第二新卒歓迎｜パワー半導体デバイス設計・プロセスインテグレーション◆研修・福利厚生◎
福井県、石川県
その他
【石川】未経験・第二新卒歓迎｜パワー半導体デバイス設計・プロセスインテグレーション◆研修・福利厚生...
【石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーション◆福利厚生充実／年休127日
福井県、石川県
その他
【石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーション◆福利厚生充実／年休127日
【兵庫】パワー半導体のアプリケーションエンジニア（商品企画・評価等）◆福利厚生充実／年休127日
兵庫県
年収1000万円以上
【兵庫】パワー半導体のアプリケーションエンジニア（商品企画・評価等）◆福利厚生充実／年休127日
【川崎】化合物半導体の製品開発エンジニア（GaNパワー）／就業環境◎福利厚生充実
神奈川県
その他
【川崎】化合物半導体の製品開発エンジニア（GaNパワー）／就業環境◎福利厚生充実
【脱炭...