電動車向けGaNパワー半導体素子のデバイス開発

Smart Overview

半導体業界における革新的な技術、GaN-HEMTを用いた電動車両向けパワー半導体の開発において、あなたの専門性を活かしませんか？このポジションでは、製品企画や技術ニーズの調査、デバイス設計、デバッグ支援、さらには性能評価を担当します。市場のニーズに応えるための高い技術力と、柔軟な発想が求められるこの仕事は、革新を推進し、次世代のモビリティを支える重要な役割を担います。

【おすすめポイント】
・最先端のGaN-HEMT技術に携わるチャンス
・製品企画から評価まで一貫したプロセスに関与
・電動車両の未来を支えるやりがいのある役割

募集職種

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

計測・解析エンジニア

仕事内容

電動車用車載充電器他向け高電圧、低損失パワー半導体素子（GaNーHEMT）の企画/開発/設計業務具体的には、以下の業務に携わっていただきます。◆車載用GaN-HEMTの製品企画／仕様検討　・技術ニーズ調査　・技術動向調査　・目標仕様調整および設計◆車載用GaN-HEMTデバイス設計　・デバイスシミュレーション　・構造検討およびレイアウト設計　・素子試作評価、分析解析　・素子検査、評価と素子開発品へのフィードバック

求めている人材

＜MUST要件＞半導体素子の設計および開発経験または構造、動作原理、特性、評価技術に関する知識をお持ちの方　※パワー半導体の経験有無は問いません＜WANT要件＞以下いずれかのご経験をお持ちの方・パワー半導体に関する知識をお持ちの方　・半導体素子の設計および開発経験（目安：3年以上）をお持ちの方・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダーの経験

勤務地

愛知 ＞広瀬製作所（愛知県豊田市）

会社概要

株式会社デンソー