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掲載日:
2026年5月13日
株式会社デンソー
電動車向けSiパワー半導体素子の開発
想定年収
年収500万~700万円、年収300万~500万円、年収300万円未満
勤務地
愛知県
Smart Overview
【おすすめポイント】
・先進的なSi-IGBT技術に携わるチャンス
・製品設計から市場投入までの全過程に関与
・電動車業界の成長に寄与できる貴重な経験
募集職種
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
材料開発エンジニア
仕事内容
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子(Si-IGBT)の企画/開発/設計業務具体的には、以下の業務に携わっていただきます。◆車載用Si-IGBTの製品企画/仕様検討 ・技術ニーズ調査 ・技術動向調査 ・目標仕様調整および設計◆車載用Si-IGBT素子開発・設計 ・プロセス/デバイスシミュレーション ・構造検討およびレイアウト設計 ・プロセスインテグレーション、プロセス加工技術 ・素子試作評価、分析解析 ・素子検査、評価と素子開発品へのフィードバック