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掲載中 応募受付中 掲載日: 2026年5月13日

株式会社デンソー

電動車向けSiパワー半導体素子の開発

デバイス開発エンジニアパワーデバイス材料開発エンジニア
想定年収 年収500万~700万円、年収300万~500万円、年収300万円未満
勤務地 愛知県

Smart Overview

半導体業界でのキャリアチャンスを探している求職者の皆様へ。今回は、電動車向けSiパワー半導体の開発に携わるポジションをご紹介します。あなたの役割は、Si-IGBTデバイスの設計や製造プロセスの最適化、技術改善の提案です。高度な技術力を駆使し、新しい製品の市場投入に貢献していただきます。また、より効率的な製品を追求し、先進的なな技術開発に関与できるチャンスです。進化する電動車市場の一翼を担うこの機会をお見逃しなく!

【おすすめポイント】
・先進的なSi-IGBT技術に携わるチャンス
・製品設計から市場投入までの全過程に関与
・電動車業界の成長に寄与できる貴重な経験

募集職種

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

材料開発エンジニア

仕事内容

電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子(Si-IGBT)の企画/開発/設計業務具体的には、以下の業務に携わっていただきます。◆車載用Si-IGBTの製品企画/仕様検討 ・技術ニーズ調査 ・技術動向調査 ・目標仕様調整および設計◆車載用Si-IGBT素子開発・設計 ・プロセス/デバイスシミュレーション ・構造検討およびレイアウト設計 ・プロセスインテグレーション、プロセス加工技術 ・素子試作評価、分析解析 ・素子検査、評価と素子開発品へのフィードバック

求めている人材

<MUST要件>半導体素子の設計および開発経験または知識をお持ちの方 ※パワー半導体の経験有無は問いません<WANT要件>以下いずれかのご経験をお持ちの方・パワー半導体に関する知識をお持ちの方 ・半導体素子の設計および開発経験(目安:3年以上)をお持ちの方・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダーの経験

勤務地

愛知 >広瀬製作所(愛知県豊田市)

会社概要

株式会社デンソー