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掲載中 応募受付中 掲載日: 2026年5月13日

株式会社デンソー

電動車向けSiCパワー半導体素子のプロセス開発

デバイス開発エンジニアパワーデバイス前工程プロセス開発
想定年収 年収500万~700万円、年収300万~500万円、年収300万円未満
勤務地 愛知県

Smart Overview

半導体業界で注目されるのが、生成した電気エネルギーを効率的に利用するSiC-MOSFET基盤の開発です。このポジションは、車載用の新規プロジェクトに関与し、技術的なニーズ分析から製品の性能テストまで多岐にわたります。実績のあるプロセスの最適化や、新しい製品の設計に携わるため、エンジニアとして成長できる環境が整っています。また、チャレンジングな条件下での評価や解析業務を通じて、次世代技術の創出に寄与する機会があります。

【おすすめポイント】
・最先端のSiC-MOSFET技術に関わるチャンス
・技術的解析能力を高める実践的な経験
・次世代技術の開発に参加することでキャリアを広げる可能性

募集職種

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

前工程プロセス開発

仕事内容

電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子(SiC-MOSFET)の企画/設計/プロセス開発業務具体的には、以下の業務に携わっていただきます。◆車載用SiC-MOSFETの製品企画/仕様検討 ・技術ニーズ調査 ・技術動向調査 ・目標プロセス仕様調整および量産加工コスト目標決定◆車載用SiC-MOSFETプロセス開発 ・プロセスシミュレーション ・プロセスフロー検討およびプロセス条件出し ・新規プロセス探索、新加工設備の検討、設備導入 ・素子試作評価、分析解析、良品率改善 ・素子検査、評価と素子開発品へのフィードバック

求めている人材

<MUST要件>半導体素子プロセスの開発経験または知識をお持ちの方 ※パワー半導体の経験有無は問いません<WANT要件>以下いずれかのご経験をお持ちの方・パワー半導体に関する知識をお持ちの方 ・半導体素子プロセス、設備の開発経験(目安:3年以上)をお持ちの方・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダーの経験

勤務地

愛知 >広瀬製作所(愛知県豊田市)

会社概要

株式会社デンソー