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掲載日:
2026年5月13日
株式会社デンソー
電動車向けSiCパワー半導体素子のプロセス開発
想定年収
年収500万~700万円、年収300万~500万円、年収300万円未満
勤務地
愛知県
Smart Overview
【おすすめポイント】
・最先端のSiC-MOSFET技術に関わるチャンス
・技術的解析能力を高める実践的な経験
・次世代技術の開発に参加することでキャリアを広げる可能性
募集職種
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
前工程プロセス開発
仕事内容
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子(SiC-MOSFET)の企画/設計/プロセス開発業務具体的には、以下の業務に携わっていただきます。◆車載用SiC-MOSFETの製品企画/仕様検討 ・技術ニーズ調査 ・技術動向調査 ・目標プロセス仕様調整および量産加工コスト目標決定◆車載用SiC-MOSFETプロセス開発 ・プロセスシミュレーション ・プロセスフロー検討およびプロセス条件出し ・新規プロセス探索、新加工設備の検討、設備導入 ・素子試作評価、分析解析、良品率改善 ・素子検査、評価と素子開発品へのフィードバック