電動車向けGaNパワー半導体素子のプロセス開発

Smart Overview

半導体業界における革新的な電動車向けGaN-HEMTデバイスの開発に参加しませんか？このポジションでは、最先端のユニットプロセスを駆使して、高効率かつ高出力で低損失の半導体材料を開発します。具体的な業務には、デバイスアーキテクチャの設計、製品性能向上のためのコスト削減施策の立案、最新技術を反映したテストプロセスの構築などがあります。最前線で業界をリードする技術者と共に、新たな市場を創出する挑戦に取り組むことができます。

【おすすめポイント】
・最先端のGaN-HEMT技術に触れる機会
・効率的なデバイス設計によるエネルギー問題への貢献
・業界リーダーとのコラボレーションによる成長機会

募集職種

その他

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

仕事内容

電動車用車載充電器他向け高電圧、低損失パワー半導体素子（GaNーHEMT）のプロセス開発業務具体的には、以下の業務に携わっていただきます。・車載用GaN-HEMTデバイス構造を実現するために必要なユニットプロセスの開発・上記ユニットプロセスを組み合わせてトータルプロセスフローの構築・デバイス性能向上やコスト改善するプロセスの開発

求めている人材

＜MUST要件＞半導体材料またはそのプロセス技術の研究・開発経験をお持ちの方　※パワー半導体の経験有無は問いません＜WANT要件＞以下いずれかのご経験をお持ちの方・パワー半導体に関する知識をお持ちの方・半導体プロセスインテグレーションの知識をお持ちの方・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダーの経験

勤務地

愛知 ＞広瀬製作所（愛知県豊田市）

会社概要

株式会社デンソー