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掲載日:
2026年5月13日
株式会社デンソー
電動車向けSiCパワー半導体素子のデバイス開発
想定年収
年収500万~700万円、年収300万~500万円、年収300万円未満
勤務地
愛知県
Smart Overview
【おすすめポイント】
・SiC技術を駆使した最先端の電動車用製品開発に携われる
・広範な技術的アプローチで自身のスキルを向上可能
・半導体業界の未来をリードするチャンスが得られる
募集職種
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
前工程プロセス開発
仕事内容
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子(SiC-MOSFET)の企画/開発/設計業務具体的には、以下の業務に携わっていただきます。◆車載用SiC-MOSFETの製品企画/仕様検討 ・技術ニーズ調査 ・技術動向調査 ・目標仕様調整および設計◆車載用SiC-MOSFETデバイス開発・設計 ・デバイスシミュレーション ・構造検討およびレイアウト設計 ・素子試作評価、分析解析、良品率改善 ・素子検査、評価と素子開発品へのフィードバック