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掲載中 応募受付中 掲載日: 2026年5月13日

株式会社デンソー

電動車向けSiCパワー半導体素子のデバイス開発

デバイス開発エンジニアパワーデバイス前工程プロセス開発
想定年収 年収500万~700万円、年収300万~500万円、年収300万円未満
勤務地 愛知県

Smart Overview

半導体業界での最先端技術に触れ、SiC-MOSFETを用いた電動車向けパワー半導体の開発に参加しませんか?このポジションでは、製品の設計や評価を通じて、業界をリードする製品を生み出すための技術力と創造力が求められます。具体的には、設計候補の検討、技術ニーズの調査、部品の評価・分析、品質向上への取り組みなど、多岐にわたる業務を担当します。これにより、半導体の未来を切り拓く貴重な経験が得られ、やりがいある環境で成長できます。

【おすすめポイント】
・SiC技術を駆使した最先端の電動車用製品開発に携われる
・広範な技術的アプローチで自身のスキルを向上可能
・半導体業界の未来をリードするチャンスが得られる

募集職種

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

前工程プロセス開発

仕事内容

電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子(SiC-MOSFET)の企画/開発/設計業務具体的には、以下の業務に携わっていただきます。◆車載用SiC-MOSFETの製品企画/仕様検討 ・技術ニーズ調査 ・技術動向調査 ・目標仕様調整および設計◆車載用SiC-MOSFETデバイス開発・設計 ・デバイスシミュレーション ・構造検討およびレイアウト設計 ・素子試作評価、分析解析、良品率改善 ・素子検査、評価と素子開発品へのフィードバック

求めている人材

<MUST要件>半導体素子の設計および開発経験または知識をお持ちの方 ※パワー半導体の経験有無は問いません<WANT要件>以下いずれかのご経験をお持ちの方・パワー半導体に関する知識をお持ちの方 ・半導体素子の設計および開発経験(目安:3年以上)をお持ちの方・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダーの経験

勤務地

愛知 >広瀬製作所(愛知県豊田市)

会社概要

株式会社デンソー