パワー半導体向け単結晶成長プロセス技術開発、製品設計及び工程・設備設計

ASIC/SoC設計デバイス開発エンジニア生産技術エンジニア

想定年収年収500万～700万円、年収300万～500万円、年収300万円未満

勤務地愛知県

Smart Overview

半導体業界でのキャリアを築く絶好の機会です！最新のSiC（シリコンカーバイド）技術を用いた開発プロジェクトに参画し、製品設計や工程設計を通じて自らのスキルを高めることができます。エンジニアリングや生産技術に関心のある方には、やりがいのある環境が整っています。また、社内から高い期待が寄せられるポジションで、仲間と共に成長を実感できるチャンスがあります。他業界では味わえない最先端の技術と経験を手に入れつつ、将来のキャリアアップが望める理想的な職場です。

【おすすめポイント】
・最先端のSiC技術に関わるプロジェクトでスキル向上
・社内から高まる期待と共に成長を実感できる環境
・キャリアアップの可能性が高い職場環境

募集職種

ASIC/SoC設計

デバイス開発エンジニア

生産技術エンジニア

仕事内容

【組織ミッション】SiC準備室は24年4月に新たに発足した部署であり、パワー半導体(SiC)に関わるプロセス技術開発、製品設計、生産技術開発、設備・工程設計を進めており、社内から高い期待が寄せられています。慣習や年齢、役職にとらわれず一人ひとりが能力を発揮できる組織風土です。【】パワー半導体向けウェハ製造に向けた要素技術及びプロセス技術設計、それに関わる生産技術開発具体的には以下のいずれかの業務に携わっていただきます。・パワー半導体向け単結晶成長技術の開発及び製品仕様・プロセス設計・単結晶製造設備制御技術開発・ウェハ製造のための、生産技術開発・ウェハ製造に関わる設備設計及び工程設計・ウェハ製品/製造工程品質保証及び管理・社内外関連部署、仕入先、顧客との折衝・開発技術の権利化【業務のやりがい・魅力】✓ 要素技術開発から製品、設備、工程設計までの一気通貫で多岐な業務を経験できます✓ 自分の作ったものが顧客・社会課題解決に貢献しているというやりがいが感じられます✓ システム、素子設計部署との連携を通じて、半導体分野の幅広い知識、技術のスキルアップができます✓ 国内外の拠点を活用したグローバルな事業を牽引することができます✓ 社内外の専門家との連携を通じて、自身の専門性を向上させることができます

求めている人材

＜MUST要件＞・無機材料、パワーエレクトロニクス、半導体のどれかの基礎知識を有し、かつ　以下いずれかのご経験をお持ちの方・半導体ウェハの製品設計、評価経験を3年以上お持ちの方・無機材料プロセス開発、工程設計経験を3年以上お持ちの方・結晶成長技術開発、生産技術開発及び設計の経験を3年以上お持ちの方・半導体ウェハの工程設計、生産技術経験を3年以上お持ちの方・半導体装置(結晶成長、加工、エピ）開発、設計を3年以上お持ちの方＜WANT要件＞下記のいずれかの知識・経験を有している方・気相反応(CVD)、化学反応、無機材料の知識と開発・設計経験・SiCウェハ製造プロセス全般に関する経験・知識・パワー半導体材料、単結晶に関する知識・技術開発における推進リーダ経験・海外企業との折衝経験・語学力（英語）：海外設備メーカとメールや電話会議でやりとりできるレベル（TOEIC610点以上）

勤務地

愛知＞先端研究所（愛知県日進市）

会社概要

株式会社デンソー