Anjet Research Lab株式会社
- デバイス開発エンジニアパワーデバイス前工程プロセス開発
- その他
- 年収300万円未満年収300万～500万円年収500万～700万円
- 提供元：マイナビ転職
- 掲載日：2026年05月08日
求人AIによる要約
半導体業界において、化合物半導体（SiC・GaNなど）の設計や特性評価に関わるポジションをご紹介します。主に、設計から開発まで一連の業務に携わることができ、最新の技術を駆使して高性能な製品を生み出すことに挑戦できます。また、企業後方からのサポートもあり、経験者であれば新たなスキルを積む機会が豊富。国際的な環境での業務にも関与でき、キャリアアップの可能性が広がります。求職者にとって、技術力を高める絶好のチャンスです。
【おすすめポイント】
・化合物半導体に特化した設計と開発業務
・国際的な職場環境でのスキル習得
・キャリアアップの多様な機会
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OUTLINE
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
前工程プロセス開発
仕事内容
化合物半導体（SiC・GaN等）を用いたパワーデバイスの構造設計やシミュレーション、特性評価などをお任せします。
具体的には
主に、化合物半導体パワーデバイスの設計から開発まで、一連の業務をご担当いただきます。▼具体的には以下の業務を行いますデバイスの構造設計やシミュレーション 試作品の電気的および熱的な特性評価顧客要求仕様に基づく製品スペックの設計TCADを活かしたデバイス性能の最適化量産移管フェーズでのプロセス部門との連携や最適化サポート※入社後は経験やご希望などに応じて、他ポジション（開発工程など）へ挑戦いただくことも可能です。【雇い入れ直後】上記業務【変更の範囲】会社の定める業務
グローバルで刺激的な開発環境
台湾拠点や海外工場との連携が発生するため語学力を活かせる環境です。英語に自信がない方も、入社後に学びながら手厚いフォローを受けられるためご安心ください。業界の熟練者が多数在籍しており、常に高いスキルに触れながら新しい技術の探求に取り組めます！
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