ASIC/SoC設計

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

仕事内容


化合物半導体を用いたパワーデバイスの構造設計から特性評価、量産移管に向けた最適化支援等をお任せします。
具体的には

主に、SiC・GaNなどを用いたパワーデバイスの設計および、開発業務全般をお任せします。▼具体的には以下の業務を行いますデバイスの構造設計やシミュレーションTCADによるパフォーマンス最適化試作品の特性評価（電気的・熱的）顧客要求の分析と製品スペック設計量産移管フェーズでのプロセス部門との連携や最適化サポート※入社後は経験やご希望などに応じて、他ポジション（開発工程など）へ挑戦いただくことも可能です。【雇い入れ直後】上記業務【変更の範囲】会社の定める業務




刺激し合えるプロフェッショナルな環境
大手メーカーで数十年の実績を持つベテランや、国内外から集まった優秀なメンバーが多数在籍しています。高度な専門知識を持つ技術者たちと切磋琢磨しながら、常に新しい開発テーマに挑戦できる社風です!

【必須】

高専・大学以上（理系学部出身）
パワーデバイス（SiC、GaN、シリコン）の開発経験3年以上
TCAD（Synopsys、Silvaco等）の使用経験
半導体デバイス物性および電気特性の知識


【歓迎要件】
車載や産業用途における高信頼性設計の経験
英語や中国語でのコミュニケーションスキル
技術文書の作成経験
└高い技術力を持つメンバーが在籍しており、切磋琢磨しながら成長できる環境です。国内外の多様なメンバーが活躍しています。

現在、開発が進み、量産移管に向けた体制強化のため、人員を増員募集しております。

本社勤務京都府京都市西京区御陵大原1-39京大桂ベンチャープラザ南館 2103号室・2203号室・2208号室※転勤はありません。【雇い入れ直後】上記事業所【変更の範囲】変更なし

マイナビ転職の勤務地区分では…
京都府

【年俸制700万円～1,000万円】月額 583,333円～ + 諸手当※年俸を1/12した額を毎月支給※経験・能力・適性・前職給与などを考慮のうえ、　当社規定により優遇いたします※試用期間3ヶ月あり（待遇に変動はありません）※退職金制度はありません



初年度の年収




初年度年収は、入社後向こう一年間に支給される予定の金額で、基本給に諸手当と前年度の標準的な査定ベースの賞与額を加えたものです。
諸手当には、採用対象者に一律支給される予定の固定手当、平均残業時間を基準とした想定される時間外勤務手当を含みます。歩合給やインセンティブは含みません。
初年度年収は、入社される方のスキルや経験によって必ずしも一定ではありませんので、検索した年収額と実際に入社した際の金額は異なる場合があります。




700万円～1000万円

専門業務型裁量労働制＜標準勤務時間帯＞9:00～18:00／1日8時間のみなし労働休憩時間：60分

年間休日124日完全週休2日制（土日祝休み）年間有給休暇：10日～20日 （下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります）

各種社会保険完備服装自由 （全従業員利用可）ストックオプション （全従業員利用可）従業員専用駐車場あり （全従業員利用可）受動喫煙対策：敷地内禁煙（屋外喫煙可能場所あり）