ASIC/SoC設計

RF（高周波）IC設計

その他

当社は、世界トップシェアの製品を多数保有し、グローバルに約400社、29万人を擁するグローバルカンパニーです。光ネットワーク用部品(デバイス)では多くの製品ラインナップをもち、研究開発に力を入れています。
化合物半導体の結晶成長技術、エピ／プロセス技術を特徴とする半導体レーザやフォトダイオードなどの光デバイス、HEMTやマイクロ波ICなどの電子デバイス、また、それらを集積したモジュールから光データリンクにいたる独自技術を有し、さらに、これらを垂直統合することにより、光と無線の2大情報通信市場に対応した最先端技術を開発し、高機能高性能製品を供給し続けています。さらに、化合物半導体結晶の高度化に関する研究開発を継続し、紫外領域、中赤外領域、高電圧領域への展開も目指しています。

・具体的にお任せする仕事の例
　化合物半導体マイクロ波デバイス開発技術者、プロセス技術者

＜変更の範囲＞
　設計、生産技術、営業技術、研究開発等の専門技術的業務
　総務、人事、経理、営業、事業計画の企画・調整・調査等の業務

＜必須要件＞
・高専卒・大卒以上
・化合物半導体マイクロ波デバイス開発経験者
　または、化合物半導体プロセス開発経験者
　またはマイクロ波・ミリ波デバイス評価経験者
　電子デバイスについて、大学レベルの基本知識を有していること
・電子デバイスまたは製造プロセスに興味を有していること

・業務での海外渡航可能な英語力（TOEIC 600点以上）

神奈川県横浜市（横浜製作所）

＜変更の範囲＞
当社国内外各事業所(関連会社及び関係する諸団体含む)

■契約期間：期間の定めなし(正社員)

■試用期間：あり(3カ月)

■勤務時間：
　　8:30 ～ 17：15 （標準労働時間 7時間45分、休憩 60分）
　　※フレックスタイム制あり(コアタイムは部門により異なる)

■時間外・休日・深夜労働に対する特別の割増率：あり
　　主席以上には深夜割り増しを除いて基準外賃金は支給しない。

■休日・休暇：
　　年間休日120日以上(完全週休2日制、年末年始休暇、夏季、GWなど）、
　　年次有給休暇20日（翌年繰越は最高20日）、
　　積立休暇 （最高50日まで有給休暇を積立可能）、
　　リフレッシュ休暇、5日連続有給休暇、特別休暇（慶弔休暇など）、
　　計画有休制度（個人計画有休5日、部門計画有休2日）、
　　半日有給休暇、時間単位有給休暇 ほか
　　※初年度は入社月により異なります。

■賃金：
　　経験、能力等を考慮し、当社規定により支給いたします。

初任給：大卒　　月給30万6,000円（2026年4月実績）
　　　　修士了　月給32万6,200円（2026年4月実績）
　　　　博士了　月給35万7,700円（2026年4月実績）
　　
　　昇給：年1回 （4月）
　　賞与：年2回 （6月・12月）

■諸手当：
　　通勤手当、残業手当、家族手当、
　　家賃補助手当（条件により家賃の最大50％を支給（上限額あり））

■加入保険：
　　健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険

■福利厚生：
　　財形住宅貯蓄、退職年金、企業年金基金、共済会、持株会、
　　カフェテリアプラン制度（自主選択型福利厚生制度）、
　　育児休業（満3歳到達まで）、短時間勤務（小学6年生を終了するまで）、
　　介護休業（2年以内）など