次世代高周波・光デバイスに向けた化合物半導体基盤技術の開発【高周波光デバイス製作所】NEW
- RF(高周波)IC設計デバイス開発エンジニア光電子デバイス
- 兵庫県
- 年収500万~700万円年収700万~1000万円年収1000万円以上
- 提供元:三菱電機
- 掲載日:2026年04月08日
求人AIによる要約
次世代高周波・光デバイスを手がける当社では、化合物半導体技術を駆使し、2023年を機に生産能力を拡大します。急速な通信トラフィックの増加に対応し、次世代デバイスの開発をリードするエンジニアを募集します。III-V族材料を使用したデバイスの設計から評価、パッケージ開発まで、新たな市場を切り拓くプロジェクトに直接参加するチャンスです。技術革新を実現する一翼を担い、共に成長を目指しましょう。
【おすすめポイント】
・市場拡大が期待される先進技術開発に参画できる。
・自らのアイデアを製品開発に活かし戦略立案に関与できる。
・基盤技術開発から量産まで一貫したプロセス体験が可能。
※提供元サイトへリンクします
OUTLINE
RF(高周波)IC設計
デバイス開発エンジニア
光電子デバイス
●採用背景
1960年代より積み重ねてきた研究開発の歴史を継承し、今もなお進化を続ける当社の化合物半導体技術。その技術から生み出される高周波・光デバイスは、AIの普及で大量の情報を処理するデータセンター、5Gなどの通信インフラ、センシング等に使用されており、性能面で他社の追随を許さず、国内外でトップクラスのシェアを誇ります。近年、通信トラフィックは急速に増大しており、お客様からの期待に応えるため、この度生産能力を大きく引き上げる「増産」へと踏み出すことになりました。
お客様からの期待は現行製品にとどまらず、当社が保有する化合物半導体コア技術を拡張した次世代デバイスにも向けられています。これに応えるため、半導体デバイスの物理特性の設計、半導体デバイスの試作評価、の実務経験を持つエンジニアを募集します。
●職務内容
化合物半導体高周波・光デバイスの開発を担当していただきます。材料はIII-V族を想定しています。シミュレーション技術を活用したデバイス物理性能設計、デバイス試作評価、デバイス計測評価技術開発、パッケージ開発、信頼性評価等、を行い、次世代デバイスを市場投入できる製品に仕上げるための基盤技術開発を行います。
【変更の範囲】
会社の定める業務(※)
(※)業務の都合によっては会社外の職務に従事するため出向又は転属を命じることがあります
≪具体的には≫
■業務内容例 ※一部業務を外部(所内、社内、社外)に委託し、連携して推進することを含みます
①開発構想(技術・文献調査、市場・顧客調査)
②物理設計(性能シミュレーション)
③工程設計(フォトマスクパターン、工程フロー、工程別処理条件の設定)
④新規要素技術導入(新規プロセス、新規材料)
⑤試作工程管理 (試作品の各工程の出来映え確認、進捗管理)
⑥試作品評価 (性能評価、信頼性試験、不良解析)
⑦パッケージ (半導体チップを固定し配線するパッケージの開発)
⑧評価技術開発 (特性評価技術、信頼性試験技術)
将来的には、新規基盤技術開発のリーダー/マネージャーとしてグループの牽引。
●使用言語、環境、ツール、資格等
・デバイス設計シミュレーター(自社作(C++, Python, Fortran等)、購入品)
・CADソフト
・各種社内共通ツール
●組織のミッション
・本部・事業部
国内・海外顧客並びに社内部門に対する高周波デバイス製品・光デバイス製品・赤外線センサデバイス製品の販売・開発
・先進技術開発センター
新規基盤技術開発推進およびその調査、戦略立案、設計、試作評価
●業務の魅力
先進技術開発センターの開発は難度の高い業務ですが、以下の5点を両立できるやりがいの大きい業務です。
(1)将来の市場規模の大幅拡大が見込まれる、(2)基盤技術開発・製品開発の初期段階から参画できる、(3)自分の戦略、アイディアを開発計画、新製品の強みに生かすことが出来、戦略立案・推進に長けた製作所各部門との議論を通じてブラッシュアップできる、(4)開発の基となる競争力の高いコア技術が利用でき、量産にも反映できる、(5)きちんと成果が出る。
●事業/製品の強み
当社の高周波デバイス、光デバイスは、開発から量産まで一貫して北伊丹地区でウエハ製造を行っています。培ったコア技術(設計技術、結晶成長技術、ウエハプロセス技術、品質保証技術、等)は現在でも世界トップシェア製品を複数有し、市場価格の下落や中国等競合他社との競争など、厳しい事業環境に置かれながらも高い収益性を実現する強みを持ち続けています。先進技術開発センターは、これらの強みを生かした基盤技術開発を行い、新しい市場を開拓します。
●職場環境
残業時間:月平均25時間
出張:有 (年数回)
転勤可能性:有
リモートワーク:有(平均週3日程度)
●想定されるキャリアパス
基盤技術開発、デバイス開発を経験後、開発リーダー業務を経て、能力と成果次第で管理職に登用
■製品情報(高周波デバイス、光デバイス)
https://www.mitsubishielectric.co.jp/semiconductors/index.html
■高周波光デバイス製作所 Xアカウント
https://twitter.com/hakouden_melco
●採用関連のお問い合わせについて
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三菱電機株式会社 応募事務局
mitsubishielectric-b@rs-career.com
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※お電話でのお問い合わせは承っておりません。
【以下全て必須】
・半導体デバイスの物理性能の設計、評価、またはエピタキシャル成長技術開発に携わった経験がある方(企業または大学)
・理工学系修士課程以上出身の方
・大学で以下のいずれかの科目の履修歴あり
電磁気学、電子回路、半導体工学、デバイス工学、材料物性、量子力学、情報通信工学、光学、量子光学
●歓迎要件
・物理シミュレーションの経験あり。プログラム自作経験があればさらにベター
・理工学系博士学位をお持ちの方
・IEEE、応用物理学会、電子情報通信学会、等の会員資格を維持している方
●求める人物像
・情報を幅広く収集し、「仮説を立てて検証」を根気強く繰り返せる方
・論理的に考えて課題克服のアプローチを共有できる方
・戦略立案に意欲を持つ方
兵庫県伊丹市瑞原四丁目1番地
【変更の範囲】
会社の定める場所(※)
(※)業務の性質等に応じリモートワークを認める場合は、リモートワークを行う場所(自宅等)を含む。
■雇用形態:正社員
■試用期間:3ヶ月(試用期間中の労働条件変更無)
■賃金形態:月給制
■月給:30万円~57万円
■想定年収:540万円 ~ 1,110万円(経験・役割等による)
■残業手当:有(残業時間に応じて支給。深夜勤務、休日手当は別途支給有。)
■賃金改定:年1回(6月)
■賞与:年2回(6月・12月)
■退職金:有
■社会保険:雇用保険、労災保険、健康保険、厚生年金保険
■各種手当:通勤手当(会社規定に基づき支給)、扶養手当など
【就業時間】
■就業時間:8:30~17:00
■所定労働時間:7時間45分(休憩45分)
■フレックスタイム制:有
■コアタイム:なし
【休日】
■年間休日:125日(2025年度)
※内訳:土曜/日曜/祝日、GW、夏季、年末年始など(会社カレンダーに準じる)
■年次有給休暇:20日~25日
※入社時より付与。付与日数は入社日により変動(4~20日)。
■その他:チャージ休暇2~4日(30歳、40歳、50歳到達年)
【その他】
■福利厚生:寮、社宅、家賃補助制度、財形貯蓄、住宅融資、社員持株会、
社員互助会、保養所、契約リゾート施設、スポーツ施設など
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