その他

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

製品設計開発にて半導体プロセス/デバイス開発、IGBTの設計、技術開発、評価に関する業務IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor；絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）に関して、顧客要求に対応した製品開発と次世代の製品開発を進めていくための業務に携わっていただきます。

≪半導体事業部について≫
当社半導体事業部は、アナログ半導体（パワー半導体を含む）を製造しており、自社ブランドの半導体開発から設計、製造まで一気通貫で行う事業とお客様の半導体を受託生産する事業（ファウンドリ）を行っています。
アナログ技術を活かす4つの製品領域で高精度・高速・高耐圧・小型化を追求しています。
１．電池（リチウムイオン電池保護IC、電池残量予測IC、充電制御IC）
２．電源（システムリセットIC、LDO、DC/DCコンバータ、AC/DC電源用IC）
３．センサ（MEMSセンサ、温度／電流センサ、AFE/ADC）
４．IGBT & FRD（EV（自動車）、産機市場向けIGBT）
近年、エイブリック社の子会社化やオムロンや日立グループの半導体事業の一部を譲受するなどして、当社の強味をさらに強化し、市場での立ち位置をより明確なものにしております。
国内拠点は、厚木、千歳、滋賀（MMIセミコンダクター社）の他、開発センターとして岐阜、群馬に事務所を構えています。海外は生産拠点として、フィリピンにございます。
また、ミネベアミツミでは、多種多様な事業を有しているため、モーター事業、電源事業、IoT事業などの様々な事業と密に連携することにより、新たな事業機会や技術力のシナジーを創出することが可能な点は、半導体専業メーカーにはない強みとなっています。


≪千歳事業所について≫
当事業所ではその一翼を担う重要な拠点として、デジタル設計を主体とした製品設計から製造までの一貫した技術を保有しており、
半導体前工程の製造、各種ファウンドリ事業を行っております。
また、地球環境保護の取り組みを積極的に推進するため、ISO14001の認証を取得すると共に、優れた品質とサービスを継続的に提供する品質マネジメントシステムを構築し、ISO9001並びにIATF16949の認証を取得しております。

＜必須要件＞
・パワー半導体レイアウト設計経験
・モデルパラメータ抽出経験
・パワー半導体開発経験
＜推奨要件＞
・プロセス/デバイスシミュレーション経験
・SiCプロセス/デバイス開発経験シミュレーションツール
・IGBT、FRD開発設計経験
・半導体プロセス/デバイス開発経験

ミネベアミツミ株式会社 千歳事業所（〒066-8533 北海道千歳市泉沢1007-39）

・所定労働時間：8:30 ‐ 17:15(休憩1時間 / 実働7時間45分)

◆勤務時間：
・所定労働時間：8:30 ‐ 17:15(休憩1時間 / 実働7時間45分)
・フレックスタイム制あり：コアタイム 10:10 - 15:00
：フレキシブルタイム 07:00 -10:10、15:00 - 22:00
※試用期間中(3ヶ月間)は対象外
◆完全週休2日制（当社カレンダーによる）※年間休日121日
◆年末年始休暇、年次有給休暇、慶弔休暇、ライフサポート休暇、特別休暇
◆社会保険完備（雇用、労災、健康、厚生年金）
◆確定企業年金、確定拠出年金、財形貯蓄、従業員持株会
◆交通費全額支給
◆社員食堂、保養所
◆育児・介護・妊娠・傷病の事由による在宅勤務制度
※試用期間中(3ヶ月間)は対象外
◆昇給年1回、賞与年2回（6月、12月）
◆試用期間3ヶ月
◆定年65歳

※入社後すぐ在籍出向となり、出向元がミネベアミツミ株式会社、出向先はミツミ電機株式会社となります。
（年収や待遇などは全社統一です）

◆年末年始休暇、年次有給休暇、慶弔休暇、ライフサポート休暇、特別休暇