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株式会社デンソー

電動車向けインバータ及び電源機器用次世代パワー半導体の材料・デバイス・プロセス研究

  • ウェハ材料パワーデバイス材料開発エンジニア
  • 愛知県
  • 年収500万~700万円年収700万~1000万円年収1000万円以上
  • 提供元:株式会社デンソー
  • 掲載日:2026年03月26日

求人AIによる要約

次世代パワー半導体の研究開発に携わるチャンスです。電動車向けインバータや電源機器に特化した新素材、デバイス、プロセスの最前線で働くことで、エネルギー効率向上と環境負荷軽減に寄与する先駆者としてのキャリアを築けます。特に、横型GaN-HEMTやα・β酸化ガリウム、ダイヤモンド半導体の開発に関与することで、最先端技術を深く理解し、業界のイノベーションを牽引する一翼を担えます。挑戦と成長の環境が整ったこのポジションで、あなたの専門性を活かしませんか。

【おすすめポイント】
・次世代パワー半導体の研究開発に直接携われる
・業界の最前線で新技術を学び、成長できる
・社会的意義のあるエネルギー効率向上に貢献できる

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OUTLINE

ウェハ材料

パワーデバイス

材料開発エンジニア

パワーデバイス材料研究、デバイス開発・ウェハガス成長法の研究開発・横型GaN-HEMTのデバイス開発・α酸化ガリウム半導体研究開発・β酸化ガリウム半導体研究開発・ダイヤモンド半導体研究開発

・パワー半導体材料またはデバイスに関する知見を有すること(大学卒業レベル)・半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験(3年以上)を有すること・第一原理計算、T-CADシミュレーション経験・エピタキシャル成長に関するプロセス・装置開発経験(5年以上)・ワイドバンドギャップ半導体の研究・開発経験(5年以上)

愛知 >株式会社ミライズテクノロジーズ(愛知県日進市)

月給27万5000円以上
※経験・年齢を考慮して決定致します。

<直近の初任給実績>
大卒・高専卒(専攻科)/月給27万5000円
修士了/月給30万0000円
博士卒/月給33万4000円

<年収例>
29歳(大卒入社7年目)650万円(残業代含まず)
32歳(大卒入社10年目)750万円(残業代含まず)
35歳(大卒入社13年目)850万円(残業代含まず)
40歳(大卒入社18年目)1320万円※マネジメント職の場合

フレックスタイム制/標準労働時間8h
コアタイム10時10分から14時25分(東京エリア 10時30分から14時45分、製作所 10時10分から15時25分)
※管理職については労働基準法第41条2号により労働基準法上の労働時間、休憩、休日に関する適用を受けないものとします。

週休2日制(土曜日・日曜日)
GW・夏季・年末年始各10日程
年間休日121日
年次有給休暇、やすらぎ休暇、リフレッシュ休暇、子の看護休暇、介護休暇、ボランティア休暇など

デンソーカフェテリアプラン制度(毎年付与されるポイントを様々な福利厚生メニューに使用できる制度です。)
個別制度/財形貯蓄、株式インセンティブ制度、団体保険、退職金・年金制度など
施設/保養所、研修センター、各種文化・体育施設、託児施設(愛知・三重)、食堂(本社、各製作所)など

COMPANY

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