SiC/GaNパワー半導体のデバイスおよびプロセス研究開発
- パワーデバイスプロセス技術研究者前工程プロセス開発
- 愛知県
- 年収300万円未満年収300万～500万円年収500万～700万円
- 提供元：株式会社デンソー
- 掲載日：2026年03月26日
求人AIによる要約
半導体業界での革新を牽引する、SiC/GaNパワー半導体のデバイスおよびプロセス研究開発のポジションです。あなたは、SiC-MOSFETやGaN-MOSFETの設計からプロセス開発、試作品の評価まで、幅広い業務を担当します。最新のエピ成長技術やウェハ技術に関わりながら、パワーデバイスの性能向上を実現するチャンスがあります。技術動向の調査やプロセスシミュレーションを通じて、次世代のパワーデバイスを一緒に創り上げませんか？
【おすすめポイント】
・SiCおよびGaN技術の最前線での研究開発に携われます。
・パワーデバイスの設計から評価まで、一貫したプロセスに関与。
・業界の技術動向を把握し、先端技術に触れることができます。
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OUTLINE
パワーデバイス
プロセス技術研究者
前工程プロセス開発
SiC、GaNパワー半導体(SiC-MOSFET、縦型GaN-MOSFET、横型GaN-HEMT)のデバイスおよびプロセスに関する研究開発。SiCエピおよびGaNウェハ技術の研究開発。・パワーデバイスの企画、技術動向調査・パワーデバイスのデバイスシミュレーション設計、構造設計、レイアウト設計・パワーデバイスのプロセスシミュレーション設計、プロセス要素技術開発・パワーデバイスのプロセスインテグレーション、工程設計・パワーデバイス試作品のテスト、分析、評価解析・パワーデバイス用ウェハ（GaN基板、SiCエピ成長）の技術開発・パワーデバイス用加工装置の導入および改造
愛知 ＞株式会社ミライズテクノロジーズ（愛知県豊田市）
COMPANY
会社名：株式会社デンソー
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