電動車向けSiCパワー半導体素子のプロセス開発
- デバイス開発エンジニアパワーデバイスプロセス技術研究者
- 愛知県
- 年収300万円未満年収300万~500万円年収500万~700万円
- 提供元:株式会社デンソー
- 掲載日:2026年03月16日
求人AIによる要約
電動車向けSiCパワー半導体のプロセス開発に携わるチャンスです。パワーデバイス技術部では、カーボンニュートラルの実現に向けて高品質なパワー半導体を企画・開発し、オープンなカルチャーで活発な議論が行われています。車載用SiC-MOSFETの企画、設計、プロセス開発を通じて、最新技術を駆使し、更なる環境貢献に向けた挑戦が可能です。専門知識を持つメンバーと連携しながら、自身の技術スキルを向上させることができる刺激的な職場です。
【おすすめポイント】
・SiCパワー半導体の最先端技術に関与し、プロセス開発で競争力向上に貢献。
・多岐にわたる業務経験を通じ、専門知識を深めるチャンス。
・環境課題への貢献を実感しながら働ける意義ある職場環境。
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OUTLINE
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
プロセス技術研究者
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュートラルを実現するため魅力ある商品を企画し提供しています。その中で、私たち第1、第2開発室では、世界中に高品質なパワー半導体をお届けするべくSi, SiCパワー半導体素子の企画、開発、設計、製品化をミッションに取り組んでおり、社内外から高い期待が寄せられています。年齢や役職に関係なくフラットに議論・相談を行うオープンなカルチャーのある組織です。【】電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子(SiC-MOSFET)の企画/設計/プロセス開発業務具体的には、以下の業務に携わっていただきます。◆車載用SiC-MOSFETの製品企画/仕様検討 ・技術ニーズ調査 ・技術動向調査 ・目標プロセス仕様調整および量産加工コスト目標決定◆車載用SiC-MOSFETプロセス開発 ・プロセスシミュレーション ・プロセスフロー検討およびプロセス条件出し ・新規プロセス探索、新加工設備の検討、設備導入 ・素子試作評価、分析解析、良品率改善 ・素子検査、評価と素子開発品へのフィードバック【業務のやりがい・魅力】・SiCパワー半導体プロセス開発に関するスキルアップができます。特に、最先端の研究機関との連携や、デバイスの高性能化、高信頼化につながる新規プロセスを開発することで、直接的にデバイスの競争力向上への貢献を実感する事が可能です。・素子開発にとどまらず、パワーモジュール開発部署や量産工場と密接に連携しながら開発を進めるため、様々な専門知識を持つ方たちと一気通貫で多岐にわたる業務を経験できます。・魅力ある素子を企画し、世界中に高品質なパワー半導体を提供することで、地球温暖化の抑制という社会課題解決に貢献しているやりがいを感じることができます。【関連リンク】半導体|特集記事|DRIVEN BASE(ドリブンベース)- デンソー次世代の「車載半導体」で、モビリティと社会インフラにさらなる進化を|DRIVEN BASE(ドリブンベース)- デンソークルマの「電動化」を支える、次世代SiCパワー半導体チップの開発|DRIVEN BASE(ドリブンベース)- デンソーパワー半導体で未来を創る──その挑戦を支える「自分らしさ」を尊重したキャリアと働き方|DRIVEN BASE(ドリブンベース)- デンソー
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