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掲載日:
2026年3月16日
株式会社デンソー
電動車向けインバータ用パワー半導体のデバイスおよびプロセス研究開発
想定年収
年収500万~700万円、年収300万~500万円、年収300万円未満
勤務地
愛知県
Smart Overview
【おすすめポイント】
・次世代半導体技術に携わる貴重な機会
・多様な技術スキルを習得できる環境
・モビリティの未来を支えるやりがいある仕事
募集職種
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
プロセス技術研究者
仕事内容
電動車向けインバータ用パワー半導体(SiC-MOSFET、縦型GaN-MOSFET)のデバイス設計やデバイスのプロセス加工技術、ウェハ技術の研究開発及び試作品評価・パワーデバイスの企画、構造設計、レイアウト設計・パワーデバイス及びプロセスシミュレーション設計、 技術動向調査・パワーデバイスのプロセスインテグレーションおよびプロセス加工技術の開発・パワーデバイスのウェハ(基板、エピ成長など)技術の開発・パワーデバイスの構造、プロセス加工技術の要素技術開発・試作品の評価、分析、解析【関連リンク】答えは、まだ誰も知らない。次世代半導体「GaN」研究者が挑戦するモビリティの未来|DRIVEN BASE(ドリブンベース)- デンソー半導体|特集記事|DRIVEN BASE(ドリブンベース)- デンソー次世代の「車載半導体」で、モビリティと社会インフラにさらなる進化を|DRIVEN BASE(ドリブンベース)- デンソー