電動車向けインバータ用パワー半導体のデバイスおよびプロセス研究開発
- デバイス開発エンジニアパワーデバイスプロセス技術研究者
- 愛知県
- 年収300万円未満年収300万～500万円年収500万～700万円
- 提供元：株式会社デンソー
- 掲載日：2026年03月16日
求人AIによる要約
電動車向けインバータ用パワー半導体の最前線で、SiC-MOSFETや縦型GaN-MOSFETの研究開発にチャレンジできます。デバイス設計からプロセス加工、ウェハ技術まで多岐にわたる業務を通じて、最先端技術の習得が可能です。特にパワーデバイスの企画や構造設計、シミュレーションを行い、次世代のモビリティを支える一員として成長できる環境が整っています。実験や評価を通じて、技術動向に敏感に反応し、業界のトレンドをリードするスキルを磨きましょう。
【おすすめポイント】
・次世代半導体技術に携わる貴重な機会
・多様な技術スキルを習得できる環境
・モビリティの未来を支えるやりがいある仕事
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OUTLINE
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
プロセス技術研究者
電動車向けインバータ用パワー半導体(SiC-MOSFET、縦型GaN-MOSFET)のデバイス設計やデバイスのプロセス加工技術、ウェハ技術の研究開発及び試作品評価・パワーデバイスの企画、構造設計、レイアウト設計・パワーデバイス及びプロセスシミュレーション設計、 技術動向調査・パワーデバイスのプロセスインテグレーションおよびプロセス加工技術の開発・パワーデバイスのウェハ（基板、エピ成長など）技術の開発・パワーデバイスの構造、プロセス加工技術の要素技術開発・試作品の評価、分析、解析【関連リンク】答えは、まだ誰も知らない。次世代半導体「GaN」研究者が挑戦するモビリティの未来｜DRIVEN BASE（ドリブンベース）- デンソー半導体｜特集記事｜DRIVEN BASE（ドリブンベース）- デンソー次世代の「車載半導体」で、モビリティと社会インフラにさらなる進化を｜DRIVEN BASE（ドリブンベース）- デンソー
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