電動車向けSiCパワー半導体素子のデバイス開発
- デバイス開発エンジニアパワーデバイス計測・解析エンジニア
- 愛知県
- 年収300万円未満年収300万~500万円年収500万~700万円
- 提供元:株式会社デンソー
- 掲載日:2026年03月16日
求人AIによる要約
電動車向けSiCパワー半導体素子のデバイス開発を手掛ける当社では、パワーデバイス技術を基盤にカーボンニュートラル実現に貢献する魅力的な商品を企画・提供しています。フラットな文化の中で、車載用SiC-MOSFETの製品企画、開発、設計を担当。最先端の研究機関との連携や実際の試作ラインでの経験を通じ、スキルを大幅に向上させることが可能です。多様な専門知識を持つチームとの連携により、社会課題である地球温暖化の抑制に寄与する充実感を得られます。
【おすすめポイント】
・最先端技術を用いたSiCパワー半導体デバイス開発を経験
・フラットな組織文化で多様な専門知識を持つチームと協働
・地球温暖化抑制に寄与する社会的意義を実感できる仕事
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OUTLINE
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
計測・解析エンジニア
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュートラルを実現するため魅力ある商品を企画し提供しています。その中で、私たち第1、第2開発室では、世界中に高品質なパワー半導体をお届けするべくSi, SiCパワー半導体素子の企画、開発、設計、製品化をミッションに取り組んでおり、社内外から高い期待が寄せられています。年齢や役職に関係なくフラットに議論・相談を行うオープンなカルチャーのある組織です。【】電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子(SiC-MOSFET)の企画/開発/設計業務具体的には、以下の業務に携わっていただきます。◆車載用SiC-MOSFETの製品企画/仕様検討 ・技術ニーズ調査 ・技術動向調査 ・目標仕様調整および設計◆車載用SiC-MOSFETデバイス開発・設計 ・デバイスシミュレーション ・構造検討およびレイアウト設計 ・素子試作評価、分析解析、良品率改善 ・素子検査、評価と素子開発品へのフィードバック【業務のやりがい・魅力】・SiCパワー半導体デバイス開発に関するスキルアップができます。特に、最先端の研究機関との連携や、試作ラインを用いて、机上だけでは培うことのできないモノづくりに触れ、ウェハ試作や特性評価の実施が可能です。・素子開発にとどまらず、パワーモジュール、インバータ開発部署と密接に連携しながら開発を進めるため、様々な専門知識を持つ方たちと一気通貫で多岐にわたる業務を経験できます。・魅力ある素子を企画し、世界中に高品質なパワー半導体を提供することで、地球温暖化の抑制という社会課題解決に貢献しているやりがいを感じることができます。【関連リンク】半導体|特集記事|DRIVEN BASE(ドリブンベース)- デンソー次世代の「車載半導体」で、モビリティと社会インフラにさらなる進化を|DRIVEN BASE(ドリブンベース)- デンソークルマの「電動化」を支える、次世代SiCパワー半導体チップの開発|DRIVEN BASE(ドリブンベース)- デンソーパワー半導体で未来を創る──その挑戦を支える「自分らしさ」を尊重したキャリアと働き方|DRIVEN BASE(ドリブンベース)- デンソー
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