電動車向けSiパワー半導体素子の開発

デバイス開発エンジニアパワーデバイスプロセス技術研究者

想定年収年収500万～700万円、年収300万～500万円、年収300万円未満

勤務地愛知県

Smart Overview

電動車向けのSiパワー半導体素子の開発に携わるチャンスがあります。私たちのパワーデバイス技術部では、カーボンニュートラルに貢献する製品を企画・提供し、成長を続けています。第1・第2開発室では、SiおよびSiCパワー半導体の設計から製品化まで、多様な業務に取り組み、高い期待を受けています。オープンな職場環境で、実践的なモノづくりを体験しながら、専門知識を持つ仲間と協力し、スキルアップできる魅力的な職場です。

【おすすめポイント】
・実践的なモノづくりを通じたスキルアップが可能。
・多様な専門知識を持つチームと共同で業務が進められる。
・社会貢献を実感しながら、やりがいある職務に取り組める。

募集職種

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

プロセス技術研究者

仕事内容

【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュートラルを実現するため魅力ある商品を企画し提供しています。その中で、私たち第１、第２開発室では、世界中に高品質なパワー半導体をお届けするべくSi, SiCパワー半導体素子の企画、開発、設計、製品化をミッションに取り組んでおり、社内外から高い期待が寄せられています。年齢や役職に関係なくフラットに議論・相談を行うオープンなカルチャーのある組織です。【】電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（Si-IGBT）の企画/開発/設計業務具体的には、以下の業務に携わっていただきます。◆車載用Si-IGBTの製品企画／仕様検討　・技術ニーズ調査　・技術動向調査　・目標仕様調整および設計◆車載用Si-IGBT素子開発・設計　・プロセス/デバイスシミュレーション　・構造検討およびレイアウト設計　・プロセスインテグレーション、プロセス加工技術　・素子試作評価、分析解析　・素子検査、評価と素子開発品へのフィードバック【業務のやりがい・魅力】・Siパワー半導体デバイス開発に関するスキルアップができます。特に、試作ラインを用いて、机上だけでは培うことのできないモノづくりに触れ、ウェハ試作や特性評価の実施が可能です。・素子開発にとどまらず、パワーモジュール開発部署と密接に連携しながら開発を進めるため、様々な専門知識を持つ方たちと一気通貫で多岐にわたる業務を経験できます。・魅力ある素子を企画し、世界中に高品質なパワー半導体を提供することで、地球温暖化の抑制という社会課題解決に貢献しているやりがいを感じることができます。【関連リンク】半導体｜特集記事｜DRIVEN BASE（ドリブンベース）- デンソー次世代の「車載半導体」で、モビリティと社会インフラにさらなる進化を｜DRIVEN BASE（ドリブンベース）- デンソークルマの「電動化」を支える、次世代SiCパワー半導体チップの開発｜DRIVEN BASE（ドリブンベース）- デンソーパワー半導体で未来を創る──その挑戦を支える「自分らしさ」を尊重したキャリアと働き方｜DRIVEN BASE（ドリブンベース）- デンソー

求めている人材

＜MUST要件＞半導体素子の設計および開発経験または知識をお持ちの方　※パワー半導体の経験有無は問いません＜WANT要件＞以下いずれかのご経験をお持ちの方・パワー半導体に関する知識をお持ちの方　・半導体素子の設計および開発経験（目安：3年以上）をお持ちの方・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダーの経験

勤務地

愛知＞広瀬製作所（愛知県豊田市）

会社概要

株式会社デンソー