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ネクスファイ・テクノロジー株式会社

【阪大発│SiC半導体スタートアップ】営業・事業開発◇次世代パワーデバイス提案/新市場開拓に挑む

  • デバイス開発エンジニアパワーデバイス技術営業・FAE
  • 大阪府
  • 年収500万~700万円年収700万~1000万円その他
  • 提供元:doda
  • 掲載日:2026年03月13日

求人AIによる要約

【阪大発│SiC半導体スタートアップ】営業・事業開発◆次世代パワーデバイス提案/新市場開拓に挑む

大阪大学発のスタートアップで、新しい市場を開拓する営業・事業開発職を募集します。独自のSiC半導体技術を活用し、次世代パワーデバイスや高電圧機器の販売提案を行う魅力的なポジションです。未開拓市場への挑戦と既存顧客フォローを通じて、会社の成長に貢献できるやりがいがあります。残業ほぼなし、勤務時間や日数の相談も可能なフレキシブルな職場環境です。

【おすすめポイント】
・独自のSiC半導体技術を活かした営業職
・新市場開拓に参加し、成長を実感できる
・柔軟な勤務条件でライフスタイルに合わせた働き方が可能

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OUTLINE

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

技術営業・FAE

【阪大発│SiC半導体スタートアップ】営業・事業開発◇次世代パワーデバイス提案/新市場開拓に挑む

■□大阪大学発ベンチャー/新市場を切り拓く営業・事業開発/残業ほぼなし◎勤務日数・時間相談可□■

■業務概要:
独自先端技術で新市場を開拓していく、阪大発のベンチャー企業です。事業拡大に伴い、営業・事業開発をお願いできる方を募集しております。一緒に会社を成長させていくという意欲のある方にはやりがいのあるお仕事です。

■具体的には:
・商品の提案、既存顧客のフォロー
・新規顧客開発

■当社について:
大阪大学発のスタートアップとして、炭化ケイ素(SiC)半導体を活用した次世代パワーデバイスや高電圧機器を開発する技術先進企業です。耐電圧1kV級SiCトランジスタを直並列接続し10kV超を実現する独自技術を保有し、産業機器や送電網など幅広い分野で注目されています。高度技術に挑戦できる成長環境が魅力です。

変更の範囲:会社の定める業務

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

<応募資格/応募条件>
■必須条件:
・大卒以上
・技術系企業の営業・営業技術などで1年以上の勤務経験のある方
・新規事業開拓に意欲的な方

■歓迎条件:
・営業・技術営業・事業開発・マーケティングなどの経験のある方
・高電圧機器やその周辺技術の知識または興味がある方
・理系大学出身者や技術職経験のある方

<勤務地詳細>
大阪開発センター
住所:大阪府吹田市山田丘2-1 大阪大学工学研究科 E4棟 226室
勤務地最寄駅:阪急千里線/北千里駅
受動喫煙対策:屋内全面禁煙
変更の範囲:会社の定める事業所

<転勤>
当面なし

<オンライン面接>

<予定年収>
600万円~800万円

<賃金形態>
月給制

<賃金内訳>
月額(基本給):400,000円~500,000円

<月給>
400,000円~500,000円

<昇給有無>


<残業手当>


<給与補足>
※給与は経験・能力等を考慮の上、決定します。

賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
月給(月額)は固定手当を含めた表記です。

<勤務時間>
9:00~17:45 (所定労働時間:7時間45分)
休憩時間:60分
時間外労働有無:有

<時短勤務>
相談可
<その他就業時間補足>
勤務時間帯、勤務日数は相談可能/残業ほぼ無し

完全週休2日制(休日は土日祝日)
年間有給休暇10日~(下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります)
年間休日日数120日

夏季休暇、年末年始休暇、出産・育児休暇、慶弔休暇
採用時期に応じた採用時の有給休暇付与あり

通勤手当、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険

<各手当・制度補足>
通勤手当:補足事項なし
社会保険:補足事項なし

<定年>
65歳
再雇用制度あり

<教育制度・資格補助補足>
■資格取得支援・手当あり

<その他補足>
■時短勤務制度
■服装自由

COMPANY

会社名:ネクスファイ・テクノロジー株式会社
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