デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

技術営業・FAE

◆車載用パワー半導体素子の製品企画／仕様検討（Si-IGBT、SiC-MOSFET、GaN-HEMT）・技術ニーズ調査・技術動向調査・目標仕様調整および設計◆車載用パワー半導体素子の開発・設計（Si-IGBT、SiC-MOSFET、GaN-HEMT）・プロセス/デバイスシミュレーション・構造検討およびレイアウト設計・プロセスインテグレーション、プロセス加工技術・素子試作評価、分析解析・素子検査、評価と素子開発品へのフィードバック◆電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（SiC-MOS,Si-IGBT,GaN）の企画／戦略立案・パワーデバイス素子の製品企画・戦略立案・パワーデバイス素子の技術企画・戦略立案(ウェハ、素子設計、プロセス、実装)・パワーデバイス素子の特許戦略立案・パワーデバイス素子の販売戦略立案・パワーデバイス素子に関するマーケティング(国内外顧客へのヒアリング)・パワーデバイス素子販売における技術営業(国内外)・パワーデバイス素子の仕様検討

＜＜＜対象となる方の一例＞＞＞・これまで半導体関連の業務に従事してこられた方・学生時代、電気・電子・材料・半導体などの分野で研究をされていた方・半導体物理の基礎知識をお持ちの方・半導体の経験があり、一通りのプロセス知識を有する方・生産技術業務のご経験、プロセスエンジニアのご経験をお持ちの方

愛知 ＞本社（愛知県刈谷市）

月給27万5000円以上
※経験・年齢を考慮して決定致します。

＜直近の初任給実績＞
大卒・高専卒（専攻科）／月給27万5000円
修士了／月給30万0000円
博士卒／月給33万4000円

＜年収例＞
29歳（大卒入社7年目）650万円（残業代含まず）
32歳（大卒入社10年目）750万円（残業代含まず）
35歳（大卒入社13年目）850万円（残業代含まず）
40歳（大卒入社18年目）1320万円※マネジメント職の場合

フレックスタイム制/標準労働時間8h
コアタイム10時10分から14時25分（東京エリア 10時30分から14時45分、製作所 10時10分から15時25分）
※管理職については労働基準法第41条2号により労働基準法上の労働時間、休憩、休日に関する適用を受けないものとします。

週休2日制（土曜日・日曜日）
GW・夏季・年末年始各10日程
年間休日121日
年次有給休暇、やすらぎ休暇、リフレッシュ休暇、子の看護休暇、介護休暇、ボランティア休暇など

デンソーカフェテリアプラン制度（毎年付与されるポイントを様々な福利厚生メニューに使用できる制度です。）
個別制度/財形貯蓄、株式インセンティブ制度、団体保険、退職金・年金制度など
施設/保養所、研修センター、各種文化・体育施設、託児施設（愛知・三重）、食堂（本社、各製作所）など