プロセスエンジニア 【山梨】化合物半導体電子デバイスウェハプロセス開発者及び技術者
- デバイス開発エンジニア前工程プロセス開発後工程プロセス開発
- 山梨県
- 年収500万～700万円年収700万～1000万円
- 提供元：住友電工デバイス・イノベーション
- 掲載日：2026年03月04日
求人AIによる要約
プロセスエンジニアとして、あなたは最先端の化合物半導体電子デバイスのウェハプロセス開発に携わります。具体的には、GaN HEMTのウェハプロセスや多層配線技術の開発を通じ、最先端の電極材料や絶縁膜の革新に寄与します。また、放熱・実装技術を駆使し、基板研削やチップ分離加工を行うことで、製品性能を最大限に引き出します。さらに、受動素子の形成プロセスにおいても重要な役割を果たします。新しい技術に挑み、半導体業界の未来を共に創造しましょう。
【おすすめポイント】
・GaN HEMTと多層配線技術に関与し、高度な専門性を身につけられる
・放熱・実装技術の開発で実践的なスキルを獲得
・半導体業界の最前線で未来の技術に貢献するチャンス
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OUTLINE
デバイス開発エンジニア
前工程プロセス開発
後工程プロセス開発
①GaN HEMTのウエハプロセス開発
②多層配線（電極材料、層間絶縁膜、平坦化）技術開発
③放熱・実装に関するプロセス開発（基板研削、ビアやチップ分離加工、裏面金属形成等の加工技術）
④受動素子（キャパシタ、インダクタ、抵抗）形成プロセス開発
＜必須要件＞
以下のいずれかの経験をお持ちの方
・各種半導体ウェーハプロセス研究・開発経験者
・プロセス装置の選定/導入/立上げ経験者
・ステッパー、ドライエッチャー、CVDなどを用いたウエハプロセス実務経験者
・高周波増幅器(GHzオーダ)のRF測定スキル・電磁界解析による設計スキル
＜語学力＞
TOEIC 500点以上または同等の英会話能力を保有。
以下のいずれかの経験をお持ちの方
・各種半導体ウェーハプロセス研究・開発経験者
・プロセス装置の選定/導入/立上げ経験者
・ステッパー、ドライエッチャー、CVDなどを用いたウエハプロセス実務経験者
・高周波増幅器(GHzオーダ)のRF測定スキル・電磁界解析による設計スキル
＜語学力＞
TOEIC 500点以上または同等の英会話能力を保有。
山梨事業所
■給与：経験、能力等を考慮し、当社規定により支給いたします。
想定年収：550万円～800万円
月給 ：28万円～40万円
想定年収：550万円～800万円
月給 ：28万円～40万円
■勤務時間
8：30～17：15
（フレックスタイム制あり 標準労働時間：7時間45分）
※コアタイムは11:00から14:00
8：30～17：15
（フレックスタイム制あり 標準労働時間：7時間45分）
※コアタイムは11:00から14:00
■休日・休暇
年間休日120日以上、完全週休2日制、年末年始休暇
年次有給休暇20日（翌年繰越は最高20日）
積立休暇
リフレッシュ休暇、5日連続有給休暇、特別休暇（慶弔休暇など）
計画有休制度（個人計画有休5日）、半日有給休暇、時間単位有給休暇ほか
※初年度は入社月により異なります。
年間休日120日以上、完全週休2日制、年末年始休暇
年次有給休暇20日（翌年繰越は最高20日）
積立休暇
リフレッシュ休暇、5日連続有給休暇、特別休暇（慶弔休暇など）
計画有休制度（個人計画有休5日）、半日有給休暇、時間単位有給休暇ほか
※初年度は入社月により異なります。
■福利厚生
企業年金制度、持株会(住友電気工業株式会社)、財形貯蓄制度(一般、住宅、年金)
企業年金制度、持株会(住友電気工業株式会社)、財形貯蓄制度(一般、住宅、年金)
COMPANY
会社名：住友電工デバイス・イノベーション
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