電子デバイス エンジニア 【横浜】高周波化合物半導体エピタキシャル結晶成長技術開発及び量産展開
- RF（高周波）IC設計前工程プロセス開発材料開発エンジニア
- 神奈川県
- 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
- 提供元：住友電工デバイス・イノベーション
- 掲載日：2026年03月03日
求人AIによる要約
高周波化合物半導体エピタキシャル結晶の成長技術を駆使し、新たな電子デバイスの未来を創造するエンジニア募集！この職種では、革新的な結晶成長技術の開発や量産体制の構築に挑戦します。最先端の研究環境で、専門知識を活かして自身の技術力を高め、業界の発展に寄与するチャンスがあります。高度な技術を追求し、次世代の電子機器を支える仲間と共に新しい価値を創造しませんか？
【おすすめポイント】
・最先端の高周波化合物半導体技術に携われる
・革新を追求するダイナミックな職場環境
・技術力を高め、キャリアを大きく成長させる貴重な機会
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OUTLINE
RF（高周波）IC設計
前工程プロセス開発
材料開発エンジニア
・高周波化合物半導体エピタキシャル結晶成長技術開発及び量産展開
＜必須要件＞
以下のいずれかの経験をお持ちの方
・各種半導体ウェーハエピタキシャル成長研究・開発経験者
・プロセス装置の選定/導入/立上げ経験者
・関連する半導体プロセス技術に関するスキル保有者
＜語学力＞
・TOEIC 500点以上または同等の英会話能力
＜以下の経験・技術をお持ちの方を歓迎します＞
・高周波化合物半導体エピタキシャルウェハの知識をお持ちの方
・GaN HEMT用エピ成長技術開発の経験がある方
・エピウェハの生産技術開発及び生産への展開経験のある方
以下のいずれかの経験をお持ちの方
・各種半導体ウェーハエピタキシャル成長研究・開発経験者
・プロセス装置の選定/導入/立上げ経験者
・関連する半導体プロセス技術に関するスキル保有者
＜語学力＞
・TOEIC 500点以上または同等の英会話能力
＜以下の経験・技術をお持ちの方を歓迎します＞
・高周波化合物半導体エピタキシャルウェハの知識をお持ちの方
・GaN HEMT用エピ成長技術開発の経験がある方
・エピウェハの生産技術開発及び生産への展開経験のある方
横浜本社
■給与：経験、能力等を考慮し、当社規定により支給いたします。
想定年収：450万円～800万円
月給 ：28万円～40万円
想定年収：450万円～800万円
月給 ：28万円～40万円
■勤務時間
8：30～17：15
（フレックスタイム制あり 標準労働時間：7時間45分）
※コアタイムは11:00から14:00
8：30～17：15
（フレックスタイム制あり 標準労働時間：7時間45分）
※コアタイムは11:00から14:00
■休日・休暇
年間休日120日以上、完全週休2日制、年末年始休暇
年次有給休暇20日（翌年繰越は最高20日）
積立休暇
リフレッシュ休暇、5日連続有給休暇、特別休暇（慶弔休暇など）
計画有休制度（個人計画有休5日）、半日有給休暇、時間単位有給休暇ほか
※初年度は入社月により異なります。
年間休日120日以上、完全週休2日制、年末年始休暇
年次有給休暇20日（翌年繰越は最高20日）
積立休暇
リフレッシュ休暇、5日連続有給休暇、特別休暇（慶弔休暇など）
計画有休制度（個人計画有休5日）、半日有給休暇、時間単位有給休暇ほか
※初年度は入社月により異なります。
■福利厚生
企業年金制度、持株会(住友電気工業株式会社)、財形貯蓄制度(一般、住宅、年金)
企業年金制度、持株会(住友電気工業株式会社)、財形貯蓄制度(一般、住宅、年金)
COMPANY
会社名：住友電工デバイス・イノベーション
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