D1【福岡】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア
- デバイス開発エンジニアパワーデバイス組み込みソフトウェアエンジニア
- 福岡県
- 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
- 提供元：東芝デバイス＆ストレージ
- 掲載日：2026年03月03日
求人AIによる要約
半導体業界の常識を打破するディスクリート半導体の製品開発エンジニアを募集！あなたのデザインスキルを活かし、最前線でパワーMOSFETやIGBT、アイソレーションデバイス、さらには小信号デバイスの試作から量産立ち上げまでを手掛けるチャンスです。性能評価や解析も行い、自身の成長を実感できる環境が整っています。革新的な技術に触れながら、未来の電力エネルギーを支えるプロジェクトに参画しませんか？
【おすすめポイント】
・多様なデバイス設計・シミュレーションに関与
・試作・評価から量産立ち上げまでの幅広い経験
・最先端技術に関わりながらキャリアを築ける環境
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OUTLINE
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
組み込みソフトウェアエンジニア
ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー）に関する、
・デバイス設計・シミュレーション(TCAD)
・試作・性能評価・解析
・量産立上業務
対象デバイスは次のとおり
①IGBT、ダイオード、パワーモジュール（兵庫県揖保郡太子町／石川県能美市）
②アイソレーションデバイス・半導体リレー（福岡県豊前市）
③パワーMOSFET（石川県能美市）
④小信号デバイス。特にMOSFET（兵庫県揖保郡太子町）
⑤小信号デバイス。特に汎用小型IC（神奈川県川崎市） ※（）内は想定勤務地
【尚可】
・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方。
・半導体デバイスに関する知識をお持ちの方。
・TCADシミュレーションに関する知識をお持ちの方。
・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方。
・半導体デバイスに関する知識をお持ちの方。
・TCADシミュレーションに関する知識をお持ちの方。
828-0023 福岡県豊前市沓川７６０番地 東芝デバイス＆ストレージ株式会社 豊前分室
年収 450万円 〜 1200万円
８：００～１６：４５（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日
寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり
COMPANY
会社名：東芝デバイス＆ストレージ
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