D3【兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア（GaN/SiC）
- パワーデバイス前工程プロセス開発材料開発エンジニア
- 兵庫県
- 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
- 提供元：東芝デバイス＆ストレージ
- 掲載日：2026年03月03日
求人AIによる要約
半導体業界において、化合物半導体のプロセス開発エンジニアを募集しています。特にGaNパワーデバイス事業では、製品・プロセス・材料の開発をリードする意欲的な人材を求めています。また、次世代SiCデバイスのデバイス設計やプロセスインテグレーション、エピタキシャル成長を活用した大口径ウェーハ製造に関わるチャンスも。これまでの経験を活かしながら、最先端技術に貢献できる貴重な機会です。
【おすすめポイント】
・次世代半導体技術に関わる実務経験を得られる。
・プロセス開発におけるリーダーシップを発揮できる環境。
・多様な半導体デバイスに対する深い知識を身につけることができる。
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OUTLINE
パワーデバイス
前工程プロセス開発
材料開発エンジニア
その中でGaNパワーデバイス事業では、早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引する人材を求めています。
また、次世代SiCデバイス(トレンチMOSFET,SJ-MOS等)のデバイス設計、プロセスインテグレーション、ユニットプロセス開発、SiCデバイスの大口径化に適したウェーハ製造(エピタキシャル成長)プロセス・装置の開発を担当する人材を募集しております。
【必須】
・半導体デバイスのプロセスインテグレーション、ユニットプロセス関連または、デバイス開発の実務経験をお持ちの方
・半導体デバイスのプロセスインテグレーション、ユニットプロセス関連または、デバイス開発の実務経験をお持ちの方
671-1595 兵庫県揖保郡太子町鵤３００ 東芝デバイス＆ストレージ株式会社 姫路半導体工場
年収 450万円 〜 1200万円
８：００～１６：４５（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日
寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり
COMPANY
会社名：東芝デバイス＆ストレージ
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