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掲載中 応募受付中 掲載日: 2026年3月3日

東芝デバイス&ストレージ

D2【兵庫】化合物半導体の製品開発エンジニア(SiC)

デバイス開発エンジニアパワーデバイス前工程プロセス開発
想定年収 年収700万~1000万円、年収500万~700万円、年収300万~500万円
勤務地 兵庫県

Smart Overview

化合物半導体(SiC)の製品開発エンジニアとして、最前線での技術革新に携わりませんか?あなたの役割は、デバイス設計やシミュレーションを通じて高性能なパワーモジュールを実現することです。試作から性能評価、さらには解析を行い、量産化へと導く過程で、技術者としてのスキルを大いに発揮できます。最先端の半導体技術に関わり、業界の進化に寄与するチャンスです。あなたの専門知識を活かし、共に未来のエネルギーソリューションを創造しましょう。

【おすすめポイント】
・最先端の化合物半導体技術に触れる機会
・デバイス設計から量産までの幅広い業務経験
・成長する半導体市場でのキャリアアップが期待できる

募集職種

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

前工程プロセス開発

仕事内容

・デバイス設計・シミュレーション(TCAD)
・パワーモジュール パッケージ開発
・試作・性能評価・解析
・量産立上業務

求めている人材

【必須】
下記いずれかのご経験をお持ちの方
半導体デバイス設計/プロセス技術/パッケージ技術/材料開発

勤務地

671-1595  兵庫県揖保郡太子町鵤300 東芝デバイス&ストレージ株式会社 姫路半導体工場

給与

年収 450万円 〜 1200万円

勤務時間

8:00~16:45(休憩1時間、所定労働時間7時間45分)
※平均残業時間:20h程度
※会社/事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり

休日休暇

年間休日127日(2023年度)、週休2日制(土・日)、祝日、年末年始、特別休日

福利厚生

寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり

会社概要

東芝デバイス&ストレージ