プロセス技術研究者

光電子デバイス

生産技術エンジニア

【横浜市】製造技術（化合物半導体の薄膜結晶工程）◆東証プライム上場G／世界TOPレベルの技術力

～化合物半導体（GaN, InP等）のプロセスエンジニア／結晶成長炉(MOCVD)／光通信用半導体／結晶成長工程における生産性改善～

■業務内容
光通信用レーザー用半導体材料（In、P、Ga、As系材料）の化合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術をお任せいたします。結晶成長工程における生産性改善や製造/生産技術業務をご担当いただきます。具体的には以下業務をお任せいたします。

■業務詳細
InP基板上に薄膜結晶(エピタキシャル)成長する工程をお任せいたします。ご入社後は、結晶成長炉(MOCVD)及び結晶成長前の基板表面の洗浄工程や結晶成長後の評価工程をご担当いただきます。

■募集背景
増産に伴う人員補強の募集となります。製造、改善、及び開発業務として、設備や成長条件管理ができる方を募集しております。特に結晶成長炉(MOCVD)を扱える方を歓迎しています。

■業務の特徴
・自分たちの製造した半導体レーザが、世界中のデータセンターに導入されてAI化を実現していくという社会的な意義の達成感を味わえます。
・微細且つ複雑な半導体レーザ素子の物理を解き明かして、これを製品製造に応用していくという面白さがあります。

■教育体制
・社内育成プログラムに沿った各種教育を定期的に実施
・SEIグループ内で実施の各種教育プログラム受講や部門内教育プログラムの受講機会を随時提供
・社外講習会、展示会、学会聴講などの機会を随時提供

■組織構成
配属される課は概ね10～20名で構成されております。担当業務ごとに数名のチームにて業務を遂行しています。

■当社について
当社は住友電工100%出資の情報通信事業を担う重要なグループ会社です。当社は、光デバイスや光デバイスの開発・製造を行っておりますが、携帯電話基地局の無線通信装置に使われているGaN半導体デバイスは5G、IoT技術に寄与し、国内外で需要が非常に伸びております。5Gに対応できるGaAs FETなどの化合物半導体デバイスは、量産供給できるメーカーが数社しかなく、今後さらなる需要が見込まれる基地局用GaNトランジスタはシェアを拡大しています。

変更の範囲：会社の定める業務

学歴不問

＜応募資格/応募条件＞
■必須条件
・何かしらの薄膜結晶（エピタキシャル）成長に関する知見をお持ちの方
→学生時代に上記に関して研究をされていた方も歓迎です！

＜勤務地詳細＞
本社
住所：神奈川県横浜市栄区金井町1
勤務地最寄駅：JR東海道線／大船駅
受動喫煙対策：屋内全面禁煙
変更の範囲：会社の定める事業所

＜転勤＞
当面なし

＜オンライン面接＞
可

＜予定年収＞
550万円～650万円

＜賃金形態＞
月給制
特記事項なし

＜賃金内訳＞
月額（基本給）：300,000円～400,000円

＜月給＞
300,000円～400,000円

＜昇給有無＞
有

＜残業手当＞
有

＜給与補足＞
※上記モデル年収は、給与・賞与・残業手当の合算値となります。
■賞与：年2回（6月・12月 ※昨年度実績4.9ヶ月）
■昇給：年1回（6月）

賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
月給(月額)は固定手当を含めた表記です。

＜労働時間区分＞
フレックスタイム制
コアタイム：11:00～14:00
休憩時間：60分
時間外労働有無：有

＜標準的な勤務時間帯＞
8:30～17:15
＜その他就業時間補足＞
■残業平均月20H

完全週休2日制（休日は土日祝日）
年間有給休暇20日～20日（下限日数は、入社直後の付与日数となります）
年間休日日数123日

GW連休、8月連休、年末年始、特別休暇、年次有給休暇、その他
※入社時期により、初年度は有給休暇の取得日数に変動が生じます。次年度より20日を付与。

通勤手当、家族手当、寮社宅、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、退職金制度

＜各手当・制度補足＞
通勤手当：■実費支給（月400円のみ個人負担）
家族手当：■配偶者20,000円、他扶養親族4,500円／人
寮社宅：■転勤者のみ入居可※借り上げ社宅制度
社会保険：■補足事項なし
退職金制度：■企業年金制度により、年金選択も可

＜定年＞
65歳

＜育休取得実績＞
有

＜教育制度・資格補助補足＞
■導入研修、階層別研修等

＜その他補足＞
■企業年金制度、持株会(住友電気工業株式会社)、財形貯蓄制度(一般、住宅、年金)