光デバイスエンジニア 【横浜】光ファイバ通信用光半導体レーザ開発業務
- デバイス開発エンジニアプロセス技術研究者光電子デバイス
- 神奈川県
- 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
- 提供元：住友電工デバイス・イノベーション
- 掲載日：2026年02月24日
求人AIによる要約
光デバイスエンジニアとして、最先端の光ファイバ通信用光半導体レーザ（特にDFBレーザ）の開発に携わりませんか？このポジションでは、半導体レーザや光アンプの構造設計から、結晶成長、プロセス技術の開発・評価まで、幅広い業務を担当します。高度な技術を駆使して、次世代の通信インフラを支える重要な役割を果たすことができます。革新的なプロジェクトに関与し、業界の最前線で成長できるチャンスです。
【おすすめポイント】
・最先端の技術を使った光半導体の開発に関与
・幅広い技術領域（構造設計、評価、結晶成長など）を経験
・次世代通信インフラに貢献できる魅力的な職務内容
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OUTLINE
デバイス開発エンジニア
プロセス技術研究者
光電子デバイス
半導体レーザ（主にDFBレーザ）および半導体光アンプの構造設計、評価、結晶成長、プロセス技術開発
＜必須要件＞
・半導体レーザ設計従事経験者
・半導体レーザの結晶成長、プロセス技術開発従事経験者
＜語学力＞
・TOEIC550点以上
・中国語が堪能な方
・半導体レーザ設計従事経験者
・半導体レーザの結晶成長、プロセス技術開発従事経験者
＜語学力＞
・TOEIC550点以上
・中国語が堪能な方
横浜本社
■給与：経験、能力等を考慮し、当社規定により支給いたします。
想定年収：450万円～800万円
月給 ：28万円～40万円
想定年収：450万円～800万円
月給 ：28万円～40万円
■勤務時間
8：30～17：15
（フレックスタイム制あり 標準労働時間：7時間45分）
※コアタイムは11:00から14:00
8：30～17：15
（フレックスタイム制あり 標準労働時間：7時間45分）
※コアタイムは11:00から14:00
■休日・休暇
年間休日120日以上、完全週休2日制、年末年始休暇
年次有給休暇20日（翌年繰越は最高20日）
積立休暇
リフレッシュ休暇、5日連続有給休暇、特別休暇（慶弔休暇など）
計画有休制度（個人計画有休5日）、半日有給休暇、時間単位有給休暇ほか
※初年度は入社月により異なります。
年間休日120日以上、完全週休2日制、年末年始休暇
年次有給休暇20日（翌年繰越は最高20日）
積立休暇
リフレッシュ休暇、5日連続有給休暇、特別休暇（慶弔休暇など）
計画有休制度（個人計画有休5日）、半日有給休暇、時間単位有給休暇ほか
※初年度は入社月により異なります。
■福利厚生
企業年金制度、持株会(住友電気工業株式会社)、財形貯蓄制度(一般、住宅、年金)
企業年金制度、持株会(住友電気工業株式会社)、財形貯蓄制度(一般、住宅、年金)
COMPANY
会社名：住友電工デバイス・イノベーション
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