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掲載日:
2026年2月24日
住友電工デバイス・イノベーション
光デバイスエンジニア 【横浜】光ファイバ通信用光半導体レーザ開発業務
想定年収
年収700万~1000万円、年収500万~700万円、年収300万~500万円
勤務地
神奈川県
Smart Overview
【おすすめポイント】
・最先端の技術を使った光半導体の開発に関与
・幅広い技術領域(構造設計、評価、結晶成長など)を経験
・次世代通信インフラに貢献できる魅力的な職務内容
募集職種
デバイス開発エンジニア
プロセス技術研究者
光電子デバイス
仕事内容
半導体レーザ(主にDFBレーザ)および半導体光アンプの構造設計、評価、結晶成長、プロセス技術開発
求めている人材
・半導体レーザ設計従事経験者
・半導体レーザの結晶成長、プロセス技術開発従事経験者
<語学力>
・TOEIC550点以上
・中国語が堪能な方
勤務地
給与
想定年収:450万円~800万円
月給 :28万円~40万円
勤務時間
8:30~17:15
(フレックスタイム制あり 標準労働時間:7時間45分)
※コアタイムは11:00から14:00
休日休暇
年間休日120日以上、完全週休2日制、年末年始休暇
年次有給休暇20日(翌年繰越は最高20日)
積立休暇
リフレッシュ休暇、5日連続有給休暇、特別休暇(慶弔休暇など)
計画有休制度(個人計画有休5日)、半日有給休暇、時間単位有給休暇ほか
※初年度は入社月により異なります。
福利厚生
企業年金制度、持株会(住友電気工業株式会社)、財形貯蓄制度(一般、住宅、年金)