設計職（IGBT、SiC-MOS、高圧IC半導体デバイス、回路、プロセス設計）
- その他パワーデバイスプロセス技術研究者
- 東京都
- 年収300万円未満年収300万～500万円年収500万～700万円
- 提供元：ミネベアパワーデバイス
- 掲載日：2026年02月06日
求人AIによる要約
あなたの未来を切り開く設計職！IGBTやSiC-MOS、高圧IC半導体デバイスの設計を手掛け、パワーモジュールやアナログICのプロセス、シミュレーションにも関与します。チップデバイスの仕様作成から顧客への提案まで幅広い業務があり、自らのアイデアを形にできる環境が整っています。技術力を高めながら、最先端の半導体業界で活躍するチャンスを逃さず、あなたの専門性を磨きませんか？
【おすすめポイント】
・最先端技術のIGBT、SiC-MOSの設計に関与
・幅広い業務に挑戦できる環境でキャリアアップ
・顧客との打ち合わせを通じて直接的なフィードバックを得られる
この求人に応募する
※提供元サイトへリンクします
OUTLINE
その他
パワーデバイス
プロセス技術研究者
設計職（IGBT、SiC-MOS、高圧IC半導体デバイス、回路、プロセス設計）
パワーMOS、アナログIC、ディスクリート製品設計
チップデバイス、プロセス、アナログ・デジタル回路設計、マスクデータ、チップテスト仕様作成・立上
パワーモジュール構造、プロセス設計、各種シミュレーション
ターゲットスペック、顧客PR、アプリケーション資料作成、顧客打合せ対応
<必須となる資格・スキル・経験>
IGBT、SiC-MOS、高圧IC、ディスクリート製品設計経験
デバイス、プロセス設計、アナログ・デジタル回路設計、量産展開経験
シミュレーションを用いたデバイス、モジュールの構造とプロセス設計経験者（電界、拡散、応力、熱解析）
ゲートドライバ設計経験
プロセス各工程の設計経験、デバイス・回路の電気的特性評価経験
各種半導体デバイスのテスト設計経験、量産テスタ立上経験
顧客向け資料作成、顧客との各種交渉経験
TOEIC500点以上が望ましい
IGBT、SiC-MOS、高圧IC、ディスクリート製品設計経験
デバイス、プロセス設計、アナログ・デジタル回路設計、量産展開経験
シミュレーションを用いたデバイス、モジュールの構造とプロセス設計経験者（電界、拡散、応力、熱解析）
ゲートドライバ設計経験
プロセス各工程の設計経験、デバイス・回路の電気的特性評価経験
各種半導体デバイスのテスト設計経験、量産テスタ立上経験
顧客向け資料作成、顧客との各種交渉経験
TOEIC500点以上が望ましい
東京都港区
COMPANY
会社名：ミネベアパワーデバイス
※提供元サイトへリンクします
当サイトの情報は、情報提供元から自動取得した内容を掲載しており、一部情報が最新でない可能性があります。最新の内容については、直接情報提供元でご確認ください。