【募集職種⑥】SiGe・Siphoデバイス開発エンジニア
- RF（高周波）IC設計デバイス開発エンジニア光電子デバイス
- 富山県
- 年収300万円未満年収300万～500万円年収500万～700万円
- 提供元：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
- 掲載日：2026年02月04日
求人AIによる要約
SiGe・Siphoデバイス開発エンジニアとして、RFデバイス（主にSiGe BiCMOS）の開発やSi Photonicsデバイスの創出に携わるポジションです。革新的なデバイスの開発やウエーハ作製のインテグレーションを担当し、最先端の半導体技術を駆使して新たな価値を創出していく役割を担います。チャレンジ精神と技術探求心を持つ方には、成長とやりがいを感じられる環境が待っています。
【おすすめポイント】
・最先端のRFデバイス技術に関わるチャンス。
・クリエイティブな開発環境で自己成長が可能。
・業界の未来を見据えた革新をリードする役割。
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OUTLINE
RF（高周波）IC設計
デバイス開発エンジニア
光電子デバイス
RFデバイス（主にSiGe BiCMOS）並びにSi Photonicsのデバイス開発、もしくは、それら開発ウエーハの作製を取り仕切るインテグレーションを行っていただきます。
・半導体製造の知識、経験
富山県魚津市東山800（最寄駅：あいの風とやま鉄道 魚津駅よりタクシー15分）
給与形態：月給制 or 年俸制（給与改定サイクル：年１回）
勤務時間：８：３０～１７：１５（休憩４５分）
年間休日日数：127日（2024年実績） ／ 完全週休二日(土日)、祝日、夏季、年末年始、他
確定拠出年金制度あり／食堂・売店完備／制服貸与／各種有給休暇制度多数
COMPANY
会社名：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
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