【募集職種⑤】ＲＦデバイス開発エンジニア
- RF（高周波）IC設計デバイス開発エンジニアプロセス技術研究者
- 富山県
- 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
- 提供元：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
- 掲載日：2026年02月04日
求人AIによる要約
【要約文】
RFデバイス開発エンジニアとして、最先端のRF SOIデバイスの開発に携わるチャンスです。プロセス技術やTCAD技術、信頼性技術、IP設計、PDK関連技術を活用し、各関連部署と緊密に連携しながら業務を進めます。新しい技術の創造と実用化を通じて、テクノロジーの未来を形作る役割を担いませんか？挑戦的な環境で、自身のスキルを磨きながら成長できる場がここにあります。
【おすすめポイント】
・最先端のRF SOIデバイス開発に関与
・多様な技術を駆使し、幅広いスキルを習得
・プロフェッショナルなチーム環境でのコラボレーション
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OUTLINE
RF（高周波）IC設計
デバイス開発エンジニア
プロセス技術研究者
RFデバイス（主にRF SOI）開発を、プロセス技術・TCAD技術・信頼性技術・IP設計・PDK関連技術などの関連部署と連携して行っていただきます。
・半導体製造の知識、経験
富山県魚津市東山800（最寄駅：あいの風とやま鉄道 魚津駅よりタクシー15分）
給与形態：月給制 or 年俸制（給与改定サイクル：年１回）
勤務時間：８：３０～１７：１５（休憩４５分）
年間休日日数：127日（2024年実績） ／ 完全週休二日(土日)、祝日、夏季、年末年始、他
確定拠出年金制度あり／食堂・売店完備／制服貸与／各種有給休暇制度多数
COMPANY
会社名：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
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