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掲載日：
2026年2月4日
タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
【募集職種⑤】ＲＦデバイス開発エンジニア
想定年収
年収700万～1000万円、年収500万～700万円、年収300万～500万円
勤務地
富山県
Smart Overview
RFデバイス開発エンジニアとして、最先端のRF SOIデバイスの開発に携わるチャンスです。プロセス技術やTCAD技術、信頼性技術、IP設計、PDK関連技術を活用し、各関連部署と緊密に連携しながら業務を進めます。新しい技術の創造と実用化を通じて、テクノロジーの未来を形作る役割を担いませんか？挑戦的な環境で、自身のスキルを磨きながら成長できる場がここにあります。
【おすすめポイント】
・最先端のRF SOIデバイス開発に関与
・多様な技術を駆使し、幅広いスキルを習得
・プロフェッショナルなチーム環境でのコラボレーション
募集職種
RF（高周波）IC設計
デバイス開発エンジニア
プロセス技術研究者
仕事内容
RFデバイス（主にRF SOI）開発を、プロセス技術・TCAD技術・信頼性技術・IP設計・PDK関連技術などの関連部署と連携して行っていただきます。