【募集職種③】半導体プロセス要素エンジニア
- エッチング装置前工程プロセス開発成膜装置
- その他
- 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
- 提供元：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
- 掲載日：2026年02月04日
求人AIによる要約
半導体プロセス要素エンジニアとして、最先端の技術開発に挑戦しませんか？45nmから1umの領域で、リソグラフィ、エッチング、薄膜成膜、CMPを含む多様なプロセスを担当。技術革新を通じて、半導体業界の未来を築く役割を果たします。成長し続ける市場で、自身の専門性を高める絶好の機会です。あなたの知識と技術で、次世代の半導体を支えるプロジェクトに参加しましょう！
【おすすめポイント】
・幅広い技術に携わり、多様なスキルを磨けるチャンス
・最先端の技術開発に関与し、キャリアの成長が期待できる
・成長市場での活躍を通じて、半導体業界に貢献できる楽しさ
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OUTLINE
エッチング装置
前工程プロセス開発
成膜装置
45nm～1umまで幅広い技術開発を実施。リソグラフィ、ドライエッチ、ウエットエッチ、炉・ＲＴＰ、炉・注入、ＬＰＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、ＰＶＤ、めっき、ＣＭＰのいずれかの技術開発を担当いただきます。
給与形態：月給制 or 年俸制（給与改定サイクル：年１回）
勤務時間：８：３０～１７：１５（休憩４５分）
年間休日日数：127日（2024年実績） ／ 完全週休二日(土日)、祝日、夏季、年末年始、他
確定拠出年金制度あり／食堂・売店完備／制服貸与／各種有給休暇制度多数
COMPANY
会社名：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
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