デバイス開発エンジニア

プロセス技術研究者

光電子デバイス

【山梨／神奈川】光ファイバ通信用半導体レーザ開発業務◆東証プライム上場／住友電工グループ

～中国語を活かせる／半導体レーザ設計従事経験をお持ちの方へ／東証プライム上場～

■職務内容：
半導体レーザ（主にDFBレーザ）および半導体光アンプの構造設計、評価、結晶成長、プロセス技術開発

■具体的にお任せする業務：
顧客要求に基づいた半導体レーザの構造設計、プロセス技術開発の他、開発業務に付随する他部門との試作や評価の調整、将来に向けた要素技術開発、部下の指導をお願いします

■採用背景：
　生成AI普及によりデータセンタ内およびデータセンタ間通信用半導体レーザの高効率化、高出力化、高速変調の開発競争が激化している。他社に先駆けて新製品を上市するために、即戦力となる開発エンジニアの増強が必要となっている。

変更の範囲：会社の定める業務

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜応募資格/応募条件＞
■必須条件：
・半導体レーザ設計従事経験者
・半導体レーザの結晶成長、プロセス技術開発従事経験者
・光変調器、光パッシブデバイス開発従事経験者
＜語学力＞
・TOEIC(R)テスト（R）テスト550点以上
・中国語が堪能な方

■歓迎条件：
・化合物半導体デバイスの設計およびプロセス技術開発の経験がある方
・高周波回路設計の経験がある方
・半導体デバイスの信頼性評価の経験がある方
・データ分析による半導体デバイス不良解析の経験がある方
・半導体デバイス評価装置開発の経験がある方

＜語学力＞
必要条件：英語初級、中国語（北京語）上級

＜勤務地詳細1＞
山梨事業所
住所：山梨県中巨摩郡昭和町紙漉阿原1000
勤務地最寄駅：JR東海身延線／国母駅
受動喫煙対策：屋内全面禁煙
＜勤務地詳細2＞
本社
住所：神奈川県横浜市栄区金井町1
勤務地最寄駅：JR東海道線／大船駅
受動喫煙対策：屋内全面禁煙
変更の範囲：会社の定める事業所

＜勤務地補足＞
山梨事業所（中巨摩郡昭和町）あるいは本社（横浜市栄区）での勤務となります。

＜転勤＞
当面なし
業務状況により、横浜への転勤の可能性あり
※業務状況、本人状況を踏まえて相談のうえ決定

＜オンライン面接＞
可

＜予定年収＞
450万円～800万円

＜賃金形態＞
月給制
特記事項なし

＜賃金内訳＞
月額（基本給）：270,000円～400,000円

＜月給＞
270,000円～400,000円

＜昇給有無＞
有

＜残業手当＞
有

＜給与補足＞
※上記モデル年収は、給与・賞与・残業手当の合算値となります。
■賞与：年2回（6月・12月 ※昨年度実績4.9ヶ月）
■昇給：年1回（6月）

賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
月給(月額)は固定手当を含めた表記です。

＜労働時間区分＞
フレックスタイム制
コアタイム：11:00～14:00
休憩時間：60分
時間外労働有無：有

＜標準的な勤務時間帯＞
8:30～17:15

完全週休2日制（休日は土日祝日）
年間有給休暇20日～20日（下限日数は、入社直後の付与日数となります）
年間休日日数123日

■ＧＷ連休、8月連休、年末年始連休等
■特別休暇、年次有給休暇、その他
※入社時期により、初年度は有給休暇の取得日数に変動が生じます。次年度より20日を付与。

通勤手当、家族手当、寮社宅、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、退職金制度

＜各手当・制度補足＞
通勤手当：■実費支給（月400円のみ個人負担）
家族手当：■配偶者20,000円、他扶養親族4,500円／人
寮社宅：■転勤者のみ入居可※借り上げ社宅制度
社会保険：■補足事項なし
退職金制度：■企業年金制度により、年金選択も可

＜定年＞
65歳

＜育休取得実績＞
有

＜教育制度・資格補助補足＞
■導入研修、階層別研修等

＜その他補足＞
■企業年金制度、持株会(住友電気工業株式会社)、財形貯蓄制度(一般、住宅、年金)