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掲載日:
2025年12月19日
ブリルニクスジャパン株式会社
【半導体設計・開発】CMOSイメージセンサの画素開発リード(仕様作成、特性評価、開発業務管理も含む)
想定年収
年収1000万円以上、年収700万~1000万円、年収500万~700万円
勤務地
東京都
Smart Overview
【おすすめポイント】
・一流の技術者と共に、最新のCMOSイメージセンサ開発に携わる
・多様な技術を学べるフラットな組織環境
・ISO9001:2015取得による高品質な製品開発の裏付け
募集職種
ASIC/SoC設計
センサーデバイス
デバイス開発エンジニア
仕事内容
【半導体設計・開発】CMOSイメージセンサの画素開発リード(仕様作成、特性評価、開発業務管理も含む)
【世界クラスのCMOSイメージセンサー製品を開発/国際的に成長中の企業】
CMOSイメージセンサ画素の開発、設計に携わって頂きます。
画素開発フローにおいて、仕様の検討、設計と特性解析、評価解析、および進捗管理などプロジェクトに対する対応だけでなく、新しい方式の画素の開発にも参画していただきます。
■就業環境:
当社には、CMOSイメージセンサーの第一人者を筆頭に大手イメージセンサーの知見者が多数就業しています。
組織や役割による区切りがない為、多様な技術力を得られる機会に恵まれた環境にございます。また、論文提出、学会参加を積極的に奨励しております。
■当社の特徴:
業界・技術に特化したエンジニアが集まった急成長中の企業です。他社には真似できない技術開発に加え、お客様や市場の潜在需要を具体化し、付加価値の創出に挑んでいます。将来的には、イメージセンサー領域において国内外を問わずハイエンドセンサー(IoT、マシンビジョン等)分野を中心に事業を展開していく予定です。
■ISO取得企業:
当社は品質管理システムの最新かつ最先端の国際規格であるISO9001:2015取得しています。これにより、すべてのビジネスプロセスと製品における品質へのコミットメントが国際基準で認められています。
変更の範囲:会社の定める業務
求めている人材
<応募資格/応募条件>
■必須条件:
・イメージセンサ研究開発の経験5年以上
・TCAD(プロセスシミュレーターやデバイスシミュレーター)やCADレイアウトツールを使った画素の構造設計や特性解析の経験3年以上
・業務指示、技術議論等ができるレベルの日本語および英語でのコミュニケーション能力
■歓迎条件:
・画素開発プロジェクトの開発リードもしくはサブリードの経験
・半導体デバイス物理の基礎知識およびプロセス設計の経験
・イメージセンサ画素の光学設計および解析の経験
<語学力>
必要条件:英語中級、日本語中級
勤務地
■本社
住所:東京都品川区南大井6-21-12 大森プライムビル7F
勤務地最寄駅:東日本旅客鉄道線/大森駅
受動喫煙対策:屋内全面禁煙
変更の範囲:無
<転勤>
無
<オンライン面接>
可
給与
700万円~1,100万円
<賃金形態>
年俸制
<賃金内訳>
年額(基本給):7,000,000円~11,000,000円
<月額>
411,764円~647,058円(17分割)
<昇給有無>
有
<残業手当>
無
<給与補足>
■モデル年収:700万円~1,100万円
■年収構成:年俸制(賞与5ヶ月)
賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
月給(月額)は固定手当を含めた表記です。
勤務時間
専門業務型裁量労働制
みなし労働時間/日:8時間00分
休憩時間:60分(12:00~13:00)
時間外労働有無:有
<標準的な勤務時間帯>
9:00~18:00
休日休暇
年間有給休暇2日~12日(下限日数は、入社直後の付与日数となります)
年間休日日数120日
福利厚生
<各手当・制度補足>
通勤手当:補足事項なし
社会保険:補足事項なし
退職金制度:補足事項なし
<教育制度・資格補助補足>
資格取得支援制度(全従業員利用可)
研修支援制度(全従業員利用可)
<その他補足>
補足事項なし