電動車両に搭載されるセンサーの企画・開発
- デバイス開発エンジニアパワーデバイスプロセス技術研究者
- 愛知県
- 年収300万円未満年収300万～500万円年収500万～700万円
- 提供元：株式会社デンソー
- 掲載日：2025年12月17日
求人AIによる要約
次世代電動車両に向けた最前線で、あなたの技術力を試しませんか？当社では、電動車向けの高性能パワー半導体（SiC-MOSFET、GaN-MOSFET）の研究開発を行い、革新的なセンサー技術を企画・設計しています。あなたのアイデアから生まれる試作品を通じて、モビリティの未来を形作る可能性があります。プロセス技術、ウェハ技術、デバイス設計など、幅広い分野での挑戦が待っています。次世代技術の動向を調査し、先進の構造・レイアウト設計を手掛けるこの機会をお見逃しなく！
【おすすめポイント】
・次世代電動車両に必要不可欠なパワー半導体のシステム開発に関与。
・最先端の研究と開発を通じて、モビリティ業界の未来を実現。
・プロセス技術やデバイス設計など多様な分野でのキャリアアップが可能。
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OUTLINE
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
プロセス技術研究者
電動車向けインバータ用パワー半導体(SiC-MOSFET、縦型GaN-MOSFET)のデバイス設計やデバイスのプロセス加工技術、ウェハ技術の研究開発及び試作品評価・パワーデバイスの企画、構造設計、レイアウト設計・パワーデバイス及びプロセスシミュレーション設計、 技術動向調査・パワーデバイスのプロセスインテグレーションおよびプロセス加工技術の開発・パワーデバイスのウェハ（基板、エピ成長など）技術の開発・パワーデバイスの構造、プロセス加工技術の要素技術開発・試作品の評価、分析、解析【関連リンク】答えは、まだ誰も知らない。次世代半導体「GaN」研究者が挑戦するモビリティの未来｜DRIVEN BASE（ドリブンベース）- デンソー半導体｜特集記事｜DRIVEN BASE（ドリブンベース）- デンソー次世代の「車載半導体」で、モビリティと社会インフラにさらなる進化を｜DRIVEN BASE（ドリブンベース）- デンソー
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