電動車向けインバータ用パワー半導体のデバイスおよびプロセス研究開発
- デバイス開発エンジニアパワーデバイスプロセス技術研究者
- 愛知県
- 年収300万円未満年収300万～500万円年収500万～700万円
- 提供元：株式会社デンソー
- 掲載日：2025年12月15日
求人AIによる要約
電動車向けインバータ用パワー半導体の研究開発を手掛けるチームで、次世代のSiC-MOSFETおよび縦型GaN-MOSFETのデバイス設計やプロセス加工技術を探求しませんか？最先端のウェハ技術を駆使し、試作品の評価と解析を行うことで、パワーデバイスの企画・構造設計・レイアウト設計に携わります。業界の技術動向をリサーチし、プロセスインテグレーションや要素技術開発の先駆者として、新たなモビリティの未来を切り拓く役割を果たすことが期待されます。
【おすすめポイント】
・電動車向けの最先端パワー半導体の設計・開発に関与
・試作品評価やプロセスシミュレーションの実務経験
・技術動向を調査し、業界の先駆者として活躍できる機会
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OUTLINE
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
プロセス技術研究者
電動車向けインバータ用パワー半導体(SiC-MOSFET、縦型GaN-MOSFET)のデバイス設計やデバイスのプロセス加工技術、ウェハ技術の研究開発及び試作品評価・パワーデバイスの企画、構造設計、レイアウト設計・パワーデバイス及びプロセスシミュレーション設計、 技術動向調査・パワーデバイスのプロセスインテグレーションおよびプロセス加工技術の開発・パワーデバイスのウェハ（基板、エピ成長など）技術の開発・パワーデバイスの構造、プロセス加工技術の要素技術開発・試作品の評価、分析、解析【関連リンク】答えは、まだ誰も知らない。次世代半導体「GaN」研究者が挑戦するモビリティの未来｜DRIVEN BASE（ドリブンベース）- デンソー半導体｜特集記事｜DRIVEN BASE（ドリブンベース）- デンソー次世代の「車載半導体」で、モビリティと社会インフラにさらなる進化を｜DRIVEN BASE（ドリブンベース）- デンソー
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