パワーデバイス

プロセス技術研究者

前工程プロセス開発

仕事内容


ディスクリート半導体のプロセス開発担当として、パワーデバイスのユニットプロセスまたはプロセスインテグレーションに関する業務をお任せします。
具体的には

ユニットプロセス開発・装置開発◆新製造ラインの構築◆新製品に対応する新規プロセス・装置の開発◆化合物半導体の大口径化に適したウェーハ製造プロセス・装置の開発プロセスインテグレーション◆シリコンパワーデバイスのプロセスインテグレーション◆評価分析◆プロセスシミュレーション（TCAD）業務




生産体制の強化に貢献
当社はディスクリート半導体事業で世界トップクラスの製品を多数生み出してきました。これまでは200mmウエハー対応の製造ラインを増強してきましたが、今回、既存建屋に300mmウエハー対応の製造ラインを敷設することに。これにより低耐圧MOSFETやIGBTの生産能力を飛躍的に高め、さらなる需要拡大に応えていきます。

《必須条件》
◆以下いずれかの経験がある方
└プロセス技術開発
└生産技術
└歩留改善
└量産立ち上げ

《歓迎条件》
【ユニットプロセス開発・装置開発】
◆半導体デバイスメーカーでのプロセス開発経験
◆半導体製造装置メーカーでの装置開発経験
◆半導体ウェハメーカーでのプロセス開発または装置開発経験

【プロセスインテグレーション】
◆半導体のプロセス・インテグレーション開発経験
◆半導体のデバイス開発経験
◆欠陥検査装置の経験または知識
◆TCADシミュレーションに関する知識

加賀分室／石川県能美市岩内町1-1※国内転勤あり（当面はありません）

マイナビ転職の勤務地区分では…
石川県

月給：23～65万円※残業代別途支給



初年度の年収




初年度年収は、入社後向こう一年間に支給される予定の金額で、基本給に諸手当と前年度の標準的な査定ベースの賞与額を加えたものです。
諸手当には、採用対象者に一律支給される予定の固定手当、平均残業時間を基準とした想定される時間外勤務手当を含みます。歩合給やインセンティブは含みません。
初年度年収は、入社される方のスキルや経験によって必ずしも一定ではありませんので、検索した年収額と実際に入社した際の金額は異なる場合があります。




450万円～1000万円

8:30～17:15（所定労働時間7時間45分／休憩60分）※残業あり

《年間休日126日》（2025年度）◆完全週休2日制（土日）◆祝日◆夏季休暇◆年末年始休暇◆有給休暇└初年度は入社月によって変動└半日取得可└最大24日付与└繰越制度あり◆慶弔休暇◆災害休暇　など

◆各種社会保険完備◆厚生年金基金◆退職金◆確定拠出年金401k◆社員持株会制度◆借り上げ社宅制度◆社員寮（独身寮）◆副業可能（社内規定による）◆教育制度└入社時研修└資格昇格時研修└キャリアデザイン研修└自己啓発支援研修└職能別研修└公募選抜研修　など◆カフェテリアプラン制度（選択型福祉制度）└会社が年度初めに従業員へポイントを付与し、そのポイントを使ってあらかじめ用意された様々な福利厚生のメニューの中から必要なサービスを利用できる制度です◆保養施設◆フレックスタイム制度◆在宅勤務制度◆短時間勤務制度　など