【東京/電気エンジニア_光半導体に係る化合物デバイス設計エンジニア/主任職】

Smart Overview

当社のフォトニクス領域で、光通信向けの先進的なフォトニクスデバイスの開発に携わる主任職を募集します。化合物半導体を用いた高速受光器の設計・評価を行い、FDTDやBPMを駆使した光導波路素子の解析、電磁界シミュレーションによるSパラメータ解析を担当します。また、設計環境や評価環境の整備も重要な業務です。最先端技術に触れながら、革新的な製品化を実現するチャンスです。

【おすすめポイント】
・最先端のフォトニクスデバイス開発に携われる
・化合物半導体を用いた高速受光器の設計・評価
・設計環境の整備を通じて技術力を向上できる

募集職種

RF（高周波）IC設計

デバイス開発エンジニア

光電子デバイス

仕事内容

当社にて注力事業であるフォトニクス領域における光通信へ向けたフォトニクスデバイスの製品化実現の為のフォトニクスデバイス開発並びに光電両デバイスの複合実装設計をお任せいたします。【業務詳細】■化合物半導体による高速受光器の開発：FDTDやBPMを用いた光導波路素子設計/評価解析、TCAD による高速受光器設計、電磁界シミュレーションによるSパラメータ解析、VNAやAWGを用いた高速デバイスの評価解析■設計環境整備、評価環境整備：シミュレータの保守更新、測定器の導入と保守更新

［配属先情報］
コーポレートR&D本部

求めている人材

【いずれか必須】■半導体物性・波動光学の知見■半導体デバイス・光導波路の設計/評価経験■光導波路や半導体デバイスのシミュレーション経験■高周波回路の設計/測定経験
【必須】■海外のジャーナル論文などから知見を獲得し業務に反映できる事
【キャリアパス】■化合物光半導体のデバイス設計を担当し、スキルに応じて他の設計メンバーのリーディングと育成。経験を重ねる事で、エキスパートとしてプロジェクトマネージメントの役割も担っていただきます。当初の経験値に応じてエキスパートからのスタートも考えております。

勤務地

東京オフィス（東京都中央区）
［転勤］当面無

［勤務地備考］現時点で想定しておりませんが、将来的に可能性はございます。

給与

［想定年収］700万円～1000万円

［賃金形態］月給制

［月給］300000円～

勤務時間

［所定労働時間］8時間0分　［休憩］60分
［フレックスタイム制］有［コアタイム］有　10:00～15:00

休日休暇

完全週休2日制


［年間休日］128日　内訳：土日祝　夏期5日　年末年始9日　その他（夏期/年末年始休暇日数は年により変動）

［有給休暇］入社半年経過後17日～　入社時に付与(付与日数は入社月による)

福利厚生

［退職金］有［社会保険］健保　厚生年金　雇用　労災
［寮社宅］有　転居を要する場合、民間借上げの住宅有(家賃の2/3を10年間補助※家賃の上限有)

会社概要

デクセリアルズ株式会社