【宮城/電気エンジニア_光半導体に係る化合物デバイス設計エンジニア/主任職】
- RF（高周波）IC設計デバイス開発エンジニア光電子デバイス
- 宮城県
- 年収700万～1000万円年収1000万円以上その他
- 提供元：リクナビNEXT
- 掲載日：2024年12月10日
求人AIによる要約
当社のフォトニクス領域で、光通信向けの先進的なフォトニクスデバイスの開発に携わる主任職を募集します。具体的には、化合物半導体を用いた高速受光器の設計・評価解析を行い、光導波路素子のシミュレーションやSパラメータ解析を通じて製品化を推進します。また、設計環境や評価環境の整備も担当し、最新の測定器やシミュレータの保守・更新を行います。技術力を活かし、次世代の光通信技術を共に創造しましょう。
【おすすめポイント】
・光通信技術の最前線でのデバイス開発に携われる
・化合物半導体を用いた先進的な設計・評価技術を習得可能
・設計環境の整備を通じて、プロフェッショナルとしての成長が期待できる
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OUTLINE
RF（高周波）IC設計
デバイス開発エンジニア
光電子デバイス
当社にて注力事業であるフォトニクス領域における光通信へ向けたフォトニクスデバイスの製品化実現の為のフォトニクスデバイス開発並びに光電両デバイスの複合実装設計をお任せいたします。【業務詳細】■化合物半導体による高速受光器の開発：FDTDやBPMを用いた光導波路素子設計/評価解析、TCAD による高速受光器設計、電磁界シミュレーションによるSパラメータ解析、VNAやAWGを用いた高速デバイスの評価解析■設計環境整備、評価環境整備：シミュレータの保守更新、測定器の導入と保守更新
［配属先情報］
コーポレートR&D本部
【いずれか必須】■半導体物性・波動光学の知見■半導体デバイス・光導波路の設計/評価経験■光導波路や半導体デバイスのシミュレーション経験■高周波回路の設計/測定経験
【必須】■海外のジャーナル論文などから知見を獲得し業務に反映できる事
【キャリアパス】■化合物光半導体のデバイス設計を担当し、スキルに応じて他の設計メンバーのリーディングと育成。経験を重ねる事で、エキスパートとしてプロジェクトマネージメントの役割も担っていただきます。当初の経験値に応じてエキスパートからのスタートも考えております。
【必須】■海外のジャーナル論文などから知見を獲得し業務に反映できる事
【キャリアパス】■化合物光半導体のデバイス設計を担当し、スキルに応じて他の設計メンバーのリーディングと育成。経験を重ねる事で、エキスパートとしてプロジェクトマネージメントの役割も担っていただきます。当初の経験値に応じてエキスパートからのスタートも考えております。
多賀城事業所（宮城県多賀城市）
［転勤］当面無
［勤務地備考］現時点で想定しておりませんが、将来的に可能性はございます。
［想定年収］700万円～1000万円
［賃金形態］月給制
［月給］300000円～
［所定労働時間］8時間0分 ［休憩］60分
［フレックスタイム制］有［コアタイム］有 10:00～15:00
完全週休2日制
［年間休日］128日 内訳：土日祝 夏期5日 年末年始9日 その他（夏期/年末年始休暇日数は年により変動）
［有給休暇］入社半年経過後17日～ 入社時に付与(付与日数は入社月による)
［退職金］有［社会保険］健保 厚生年金 雇用 労災
［寮社宅］有 転居を要する場合、民間借上げの住宅有(家賃の2/3を10年間補助※家賃の上限有)
COMPANY
会社名：デクセリアルズ株式会社
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