D3【神奈川】化合物半導体の製品開発エンジニア（GaNパワー）
- デバイス開発エンジニアパワーデバイスプロセス技術研究者
- 神奈川県
- 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
- 提供元：東芝デバイス＆ストレージ
- 掲載日：2025年12月01日
求人AIによる要約
株式会社東芝では、GaNパワー半導体の研究開発を通じて、次世代の半導体技術革新に挑戦しています。神奈川の川崎拠点ではデバイス開発やプロセスインテグレーションに従事し、姫路拠点ではエピタキシャルプロセスやプロセス開発に取り組む機会があります。最先端の技術を駆使し、業界をリードするプロジェクトで自身を成長させたい方に、ぜひご応募いただきたいと思います。
【おすすめポイント】
・最前線での技術革新に参画できる
・多様なプロジェクトを通じてスキルを磨ける
・グローバルなチームと連携し成長できる環境
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OUTLINE
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
プロセス技術研究者
弊社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しております。
株式会社東芝の研究開発センターや、各拠点、各部署と連携しながら、半導体エンジニアとして最先端の技術領域に取り組まれたい方に是非ご応募をいただけますと幸いです。
川崎：デバイス開発とプロセスインテグレーション
姫路：エピタキシャルプロセス、プロセス開発
【尚可】
・GaNに関する知見
・GaNに関する知見
212-8583 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地
年収 450万円 〜 1200万円
８：３０～１７：１５（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日
寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり
COMPANY
会社名：東芝デバイス＆ストレージ
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