D1【福岡】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア

Smart Overview

ディスクリート半導体の製品開発エンジニアとして、あなたの技術が未来の電力界をつくる役割を担えます。当社では、IGBTやダイオード、パワーMOSFETを扱い、デバイス設計やシミュレーション、さらには試作・性能評価・解析を通じて、最先端の技術革新に貢献できます。また、量産立上業務にも携わり、実践的スキルを磨きながら、アイソレーションデバイスや半導体リレーの分野でもキャリアを築けます。各勤務地は魅力的な環境にあり、成長をサポートする体制が整っています。

【おすすめポイント】
・最先端技術の開発に関与できるチャンス
・多様なデバイスを手掛けられる専門性の高い役割
・キャリア成長を支える充実したサポート体制

募集職種

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

製品評価エンジニア

仕事内容

ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー）に関する、
・デバイス設計・シミュレーション(TCAD)
・試作・性能評価・解析
・量産立上業務
　対象デバイスは次のとおり
　　①IGBT、ダイオード、パワーモジュール（兵庫県揖保郡太子町／石川県能美市）
　　②アイソレーションデバイス・半導体リレー（福岡県豊前市）
　　③パワーMOSFET（石川県能美市）
　　④小信号デバイス。特にMOSFET（兵庫県揖保郡太子町）　
　　⑤小信号デバイス。特に汎用小型IC（神奈川県川崎市）　※（）内は想定勤務地

求めている人材

【尚可】
・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方。
・半導体デバイスに関する知識をお持ちの方。
・TCADシミュレーションに関する知識をお持ちの方。

勤務地

828-0023  福岡県豊前市沓川７６０番地　東芝デバイス＆ストレージ株式会社　豊前分室

給与

年収 450万円 〜 1200万円

勤務時間

８：００～１６：４５（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり

休日休暇

年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日

福利厚生

寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり

会社概要

東芝デバイス＆ストレージ