D3【兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア（GaN/SiC）
- パワーデバイス前工程プロセス開発材料開発エンジニア
- 兵庫県
- 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
- 提供元：東芝デバイス＆ストレージ
- 掲載日：2025年12月01日
求人AIによる要約
半導体業界でのキャリアアップを目指しませんか？当社では、GaNパワーデバイス事業の拡大に向け、製品・プロセス・材料の開発をリードするプロセス開発エンジニアを募集しています。また、次世代SiCデバイスの設計やプロセスインテグレーション、大口径ウェーハ製造プロセスの開発に携わるチャンスがもたらされます。最先端技術を駆使し、業界を牽引するプロフェッショナルとして成長できる環境が整っており、あなたのスキルと情熱が求められています。
【おすすめポイント】
・GaN/SiCデバイスに関する最先端の技術開発に関与
・プロセス開発やデバイス設計の専門知識を活かせる
・業界リーダーとしての成長を実現できる職場環境
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OUTLINE
パワーデバイス
前工程プロセス開発
材料開発エンジニア
その中でGaNパワーデバイス事業では、早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引する人材を求めています。
また、次世代SiCデバイス(トレンチMOSFET,SJ-MOS等)のデバイス設計、プロセスインテグレーション、ユニットプロセス開発、SiCデバイスの大口径化に適したウェーハ製造(エピタキシャル成長)プロセス・装置の開発を担当する人材を募集しております。
【必須】
・半導体デバイスのプロセスインテグレーション、ユニットプロセス関連または、デバイス開発の実務経験をお持ちの方
・半導体デバイスのプロセスインテグレーション、ユニットプロセス関連または、デバイス開発の実務経験をお持ちの方
671-1595 兵庫県揖保郡太子町鵤３００ 東芝デバイス＆ストレージ株式会社 姫路半導体工場
年収 450万円 〜 1200万円
８：００～１６：４５（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日
寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり
COMPANY
会社名：東芝デバイス＆ストレージ
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