パワー半導体向けのSiCウエハ生産技術開発

ウェハ材料パワーデバイス生産技術エンジニア

想定年収年収500万～700万円、年収300万～500万円、年収300万円未満

勤務地愛知県

Smart Overview

新設のSiCプロジェクト室では、パワー半導体のSiCウエハ生産技術開発に携わる多様な経験を持つメンバーが集結。要素技術開発から製造工程設計まで、幅広い業務を通じて、顧客や社会の課題解決に貢献するやりがいがあります。また、半導体分野の知識を深める機会や国際的な業務に参画するチャンスが豊富で、専門家との連携を通じて自身のスキルアップが可能です。私たちと共に未来の半導体産業をリードしていきませんか？

【おすすめポイント】
・多岐にわたる技術開発で幅広い経験を得られる
・社会課題を解決する意義を実感できる
・専門家との連携を通じたスキルアップの機会あり

募集職種

ウェハ材料

パワーデバイス

生産技術エンジニア

仕事内容

【組織ミッション】SiCプロジェクト室は24年4月に新たに発足した部署であり、パワー半導体SiCに関わる生産技術開発を進めています。開発から製造まで、様々な経験を積まれた方が集約した組織です。【】パワー半導体SiCウエハ加工に関わる生産技術開発・パワー半導体関連のベンチマーク調査分析・SiCに関わる生産技術(スライス加工、研削、CMP)の開発・実験・評価・工程設計・SiCに関わる設備の設置・生産準備※開発の状況に応じて、将来的には本社（愛知県刈谷市）・先端研究所（愛知県日進市）・大安製作所（三重県いなべ市）への転勤の可能性もございます。【業務のやりがい・魅力】✓ 要素技術開発から製品、設備、工程設計までの一気通貫で多岐な業務を経験できます✓ 自分の作ったものが顧客・社会課題解決に貢献しているというやりがいが感じられます✓ システム、素子設計部署との連携を通じて、半導体分野の幅広い知識、技術のスキルアップができます✓ 国内外の拠点を活用したグローバルな事業を牽引することができます✓ 社内外の専門家との連携を通じて、自身の専門性を向上させることができます下記URLもぜひご確認ください。■DRIVEN　BASEhttps://www.denso.com/jp/ja/driven-base/tech-design/power-semiconductor/■半導体戦略説明会資料https://www.denso.com/jp/ja/-/media/global/about-us/investors/business-briefing/20220601_semicon_material_jp.pdf■「半導体の供給確保計画」が経済産業省より認定https://www.denso.com/jp/ja/news/newsroom/2024/20241129-01/

求めている人材

＜MUST要件＞・半導体もしくはセラミック材料、特にSiウエハもしくはSiCウエハ加工(スライス、研削、CMP、検査)に関する生産技術もしくは設備開発の経験をお持ちの方・半導体に関わる新製品開発プロジェクト推進のマネジメント経験＜WANT要件＞下記のいずれかの知識・経験を有している方・半導体製造プロセス全般に関する経験・知識・半導体ウエハ・素子の検査技術に関する知識・語学力（英語）：・海外設備メーカとメールや電話会議でやりとりできるレベル

勤務地

愛知＞阿久比製作所（愛知県知多郡）

会社概要

株式会社デンソー