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掲載中 応募受付中 掲載日: 2025年12月1日

東芝デバイス&ストレージ

D2【兵庫】化合物半導体の製品開発エンジニア(SiC)

デバイス開発エンジニアパワーデバイス後工程プロセス開発
想定年収 年収700万~1000万円、年収500万~700万円、年収300万~500万円
勤務地 兵庫県

Smart Overview

半導体業界でのキャリアを考えている方に最適なポジションです。化合物半導体(SiC)の製品開発エンジニアとして、最先端のデバイス設計やシミュレーション(TCAD)を駆使し、パワーモジュールのパッケージ開発に携わります。試作・性能評価・解析を行い、量産立ち上げ業務にも関与することで、実践的なスキルが磨かれる環境が整っています。革新を生み出す現場で、自身の専門性を高め、業界の最前線で活躍できるチャンスです。

【おすすめポイント】
・最先端の化合物半導体技術に関与
・デバイス設計から量産化まで幅広い経験
・革新を追求するダイナミックな職場環境

募集職種

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

後工程プロセス開発

仕事内容

・デバイス設計・シミュレーション(TCAD)
・パワーモジュール パッケージ開発
・試作・性能評価・解析
・量産立上業務

求めている人材

【必須】
下記いずれかのご経験をお持ちの方
半導体デバイス設計/プロセス技術/パッケージ技術/材料開発

勤務地

671-1595  兵庫県揖保郡太子町鵤300 東芝デバイス&ストレージ株式会社 姫路半導体工場

給与

年収 450万円 〜 1200万円

勤務時間

8:00~16:45(休憩1時間、所定労働時間7時間45分)
※平均残業時間:20h程度
※会社/事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり

休日休暇

年間休日127日(2023年度)、週休2日制(土・日)、祝日、年末年始、特別休日

福利厚生

寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり

会社概要

東芝デバイス&ストレージ