プロセスエンジニア 【山梨】化合物半導体電子デバイスウェハプロセス開発者及び技術者

Smart Overview

プロセスエンジニアとしてのキャリアを築きませんか？この求人では、化合物半導体電子デバイス製造の最前線で活躍できる機会が待っています。具体的には、GaN HEMTのウエハプロセス開発や、多層配線技術の革新にあたる役割を担います。また、放熱・実装プロセスの開発に携わり、基板研削やチップ分離加工などの高度な加工技術を駆使した業務に挑戦できます。さらに、受動素子の形成プロセスにおけるイノベーションにも取り組むことができ、業界の最新技術を体験するチャンスです。このポジションは、半導体業界の未来を共に築き上げる仲間を求めています。

【おすすめポイント】
・最先端のGaN HEMTウエハ開発に携わる
・多層配線技術の革新に貢献できる
・放熱・実装プロセスにおける挑戦的な業務体験が可能

募集職種

ウェハ材料

前工程プロセス開発

後工程プロセス開発

仕事内容

①GaN HEMTのウエハプロセス開発
②多層配線（電極材料、層間絶縁膜、平坦化）技術開発
③放熱・実装に関するプロセス開発（基板研削、ビアやチップ分離加工、裏面金属形成等の加工技術）
④受動素子（キャパシタ、インダクタ、抵抗）形成プロセス開発

求めている人材

＜必須要件＞
以下のいずれかの経験をお持ちの方
　 ・各種半導体ウェーハプロセス研究・開発経験者
　 ・プロセス装置の選定/導入/立上げ経験者
　 ・ステッパー、ドライエッチャー、CVDなどを用いたウエハプロセス実務経験者
　 ・高周波増幅器(GHzオーダ)のRF測定スキル・電磁界解析による設計スキル

＜語学力＞
　TOEIC 500点以上または同等の英会話能力を保有。

勤務地

山梨事業所

給与

■給与：経験、能力等を考慮し、当社規定により支給いたします。
　想定年収：550万円～800万円
　月給　　：28万円～40万円

勤務時間

■勤務時間
　8：30～17：15
　（フレックスタイム制あり 標準労働時間：7時間45分）
　※コアタイムは11:00から14:00

休日休暇

■休日・休暇
　年間休日120日以上、完全週休2日制、年末年始休暇
　年次有給休暇20日（翌年繰越は最高20日）
　積立休暇
　リフレッシュ休暇、5日連続有給休暇、特別休暇（慶弔休暇など）
　計画有休制度（個人計画有休5日）、半日有給休暇、時間単位有給休暇ほか
　※初年度は入社月により異なります。

福利厚生

■福利厚生
　企業年金制度、持株会(住友電気工業株式会社)、財形貯蓄制度(一般、住宅、年金)

会社概要

住友電工デバイス・イノベーション