設計職（IGBT、SiC-MOS、高圧IC半導体デバイス、回路、プロセス設計）
- デバイス開発エンジニアパワーデバイス前工程プロセス開発
- 東京都
- 年収300万円未満年収300万～500万円年収500万～700万円
- 提供元：ミネベアパワーデバイス
- 掲載日：2025年11月04日
求人AIによる要約
半導体業界における設計職では、IGBTやSiC-MOS、高圧IC半導体デバイスの設計を手掛けます。具体的には、パワーモジュールの構造設計や各種シミュレーションを通じて、最先端技術に挑戦する機会があります。また、アナログICやディスクリート製品の設計に加え、マスクデータやチップテスト仕様の作成・立ち上げも担当。顧客との打ち合わせを通じてターゲットスペックやアプリケーション資料の作成に携わり、アイデアを形にするやりがいあるポジションです。この仕事を通じて、半導体技術の進化に貢献できるチャンスがあります。
【おすすめポイント】
・最先端の半導体技術に携わるチャンス
・設計から顧客対応まで幅広い業務を経験
・やりがいのあるプロジェクトに参加可能
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OUTLINE
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
前工程プロセス開発
設計職（IGBT、SiC-MOS、高圧IC半導体デバイス、回路、プロセス設計）
パワーMOS、アナログIC、ディスクリート製品設計
チップデバイス、プロセス、アナログ・デジタル回路設計、マスクデータ、チップテスト仕様作成・立上
パワーモジュール構造、プロセス設計、各種シミュレーション
ターゲットスペック、顧客PR、アプリケーション資料作成、顧客打合せ対応
<必須となる資格・スキル・経験>
IGBT、SiC-MOS、高圧IC、ディスクリート製品設計経験
デバイス、プロセス設計、アナログ・デジタル回路設計、量産展開経験
シミュレーションを用いたデバイス、モジュールの構造とプロセス設計経験者（電界、拡散、応力、熱解析）
ゲートドライバ設計経験
プロセス各工程の設計経験、デバイス・回路の電気的特性評価経験
各種半導体デバイスのテスト設計経験、量産テスタ立上経験
顧客向け資料作成、顧客との各種交渉経験
TOEIC500点以上が望ましい
IGBT、SiC-MOS、高圧IC、ディスクリート製品設計経験
デバイス、プロセス設計、アナログ・デジタル回路設計、量産展開経験
シミュレーションを用いたデバイス、モジュールの構造とプロセス設計経験者（電界、拡散、応力、熱解析）
ゲートドライバ設計経験
プロセス各工程の設計経験、デバイス・回路の電気的特性評価経験
各種半導体デバイスのテスト設計経験、量産テスタ立上経験
顧客向け資料作成、顧客との各種交渉経験
TOEIC500点以上が望ましい
東京都港区
COMPANY
会社名：ミネベアパワーデバイス
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