【募集職種⑥】SiGe・Siphoデバイス開発エンジニア
- RF（高周波）IC設計デバイス開発エンジニア光電子デバイス
- 富山県
- 年収300万円未満年収300万～500万円年収500万～700万円
- 提供元：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
- 掲載日：2025年11月04日
求人AIによる要約
SiGe・Siphoデバイス開発エンジニアとして、最前線のRFデバイス、特にSiGe BiCMOSやSi Photonicsのデバイス開発に携わるチャンスです。あなたは、これらの高度な技術の開発過程や、ウエーハの製造におけるインテグレーションを主導し、業界の進化に貢献する重要な役割を担います。最先端のテクノロジーに挑戦し、自身のスキルを高めたい方にとって、やりがいのあるポジションです。半導体分野での経験を活かし、次世代のデバイスを共に創り上げましょう。
【おすすめポイント】
・最先端のSiGe BiCMOSおよびSi Photonics技術に携われる
・デバイス開発からウエーハ作製までの幅広い業務に関与
・業界の進化をリードする重要な役割を果たせる
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OUTLINE
RF（高周波）IC設計
デバイス開発エンジニア
光電子デバイス
RFデバイス（主にSiGe BiCMOS）並びにSi Photonicsのデバイス開発、もしくは、それら開発ウエーハの作製を取り仕切るインテグレーションを行っていただきます。
・半導体製造の知識、経験
富山県魚津市東山800（最寄駅：あいの風とやま鉄道 魚津駅よりタクシー15分）
給与形態：月給制 or 年俸制（給与改定サイクル：年１回）
勤務時間：８：３０～１７：１５（休憩４５分）
年間休日日数：127日（2024年実績） ／ 完全週休二日(土日)、祝日、夏季、年末年始、他
確定拠出年金制度あり／食堂・売店完備／制服貸与／各種有給休暇制度多数
COMPANY
会社名：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
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