【募集職種⑤】ＲＦデバイス開発エンジニア
- RF（高周波）IC設計デバイス開発エンジニアプロセス技術研究者
- 富山県
- 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
- 提供元：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
- 掲載日：2025年11月04日
求人AIによる要約
RFデバイス開発エンジニアとして、先端技術を活用したRF SOIデバイスの開発に挑戦しませんか？プロセス技術やTCAD技術を駆使し、信頼性やIP設計に関する専門家と連携しながら、高性能デバイスの実現を目指します。新しい技術の導入と創造的な発想が求められる環境で、自身の成長を感じながら、業界の最前線で活躍できるチャンスがあります。魅力的なプロジェクトに関わり、プロフェッショナルとしてのスキルを磨きましょう。
【おすすめポイント】
・最先端のRF SOIデバイス開発に関与できる
・多様な専門家とのコラボレーションが可能
・新技術の導入を促進し、自分自身の成長を実感できる
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OUTLINE
RF（高周波）IC設計
デバイス開発エンジニア
プロセス技術研究者
RFデバイス（主にRF SOI）開発を、プロセス技術・TCAD技術・信頼性技術・IP設計・PDK関連技術などの関連部署と連携して行っていただきます。
・半導体製造の知識、経験
富山県魚津市東山800（最寄駅：あいの風とやま鉄道 魚津駅よりタクシー15分）
給与形態：月給制 or 年俸制（給与改定サイクル：年１回）
勤務時間：８：３０～１７：１５（休憩４５分）
年間休日日数：127日（2024年実績） ／ 完全週休二日(土日)、祝日、夏季、年末年始、他
確定拠出年金制度あり／食堂・売店完備／制服貸与／各種有給休暇制度多数
COMPANY
会社名：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
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